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资料编号:1123851
 
资料名称:MRF5S19100H
 
文件大小: 440K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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mrf5s19150hr3 mrf5s19150hsr3
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
图示 1. mrf5s19150hr3(sr3) 测试 电路 图式
Z9 1.280
x 0.046
Microstrip
Z10 0.090
x 1.055
Microstrip
Z11 1.125
x 0.068
Microstrip
Z12 1.125
x 0.068
Microstrip
Z13 0.505
x 1.055
Microstrip
Z14 0.898
x 0.105
Microstrip
Z15 1.133
x 0.082
Microstrip
PCB arlon gx0300-55-22, 0.03
,
ε
r
= 2.55
Z1 1.023
x 0.082
Microstrip
Z2 0.398
x 0.082
Microstrip
Z3 0.203
x 0.082
Microstrip
Z4 0.074
x 0.082
Microstrip
Z5 0.630
x 0.084
Microstrip
Z6 0.557
x 1.030
x 0.237
microstrip taper
Z7 0.103
x 1.030
Microstrip
Z8 1.280
x 0.046
Microstrip
C8
R2
V
偏差
V
供应
C23C16C15
C1
C5
C14
C4
RF
输出
RF
输入
R1
Z1 Z2 Z4 Z5 Z6
Z8
Z11
Z13 Z14
+
DUT
C9
C22C21
B1
R3
C24
Z10 Z15
C7 C6
Z7
C2
Z3
C3
Z9
C10
B2
R4
C11 C12
C13
C17 C18 C19 C20
C29C28 C31C30
C26 C27 C32 C33
C25
Z12
+
++
+
++
++
+
++
表格 5. mrf5s19150hr3(sr3) 测试 电路 组件 designations 和 值
部分 描述
b1, b2 短的 rf beads
c1, c2 0.6 – 4.5 能变的 电容, gigatrim
C3 0.8 pf 碎片 电容
c4, c5, c13, c14, c24, c25 9.1 pf 碎片 电容
c8, c10 1.0
µ
f, 50 v smt tantalum 电容
c6, c12, c16, c17, c18, c27, c28, c29 0.1
µ
f 碎片 电容
c7, c11, c15, c26 1000 pf 碎片 电容
C9 100
µ
f, 50 v electrolytic 电容
C23 470
µ
f, 63 v electrolytic 电容
c19, c20, c21, c22, c30, c31, c32, c33 22
µ
f, 35 v tantalum 电容
R1
1 k
碎片 电阻
R2
560 k
碎片 电阻
r3, r4
12
碎片 电阻器
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