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rf 设备 数据
freescale 半导体
MMG3003NT1
50 ohm 应用 电路: 40-800 mhz
图示 14. 50 ohm测试 电路 图式
图示 15. s21, s11 和 s22 相比 频率
800
−30
30
0
f, 频率 (mhz)
V
CC
= 6.2 vdc
I
CC
= 180 毫安
S22
200 400 600
20
10
0
−10
−20
图示 16. 50 ohm 测试 电路 组件 布局
C1
L1
C2
R1
C5
C4
C3
Z1 0.347
″
x 0.058
″
Microstrip
Z2 0.575
″
x 0.058
″
Microstrip
Z3 0.172
″
x 0.058
″
Microstrip
Z4 0.403
″
x 0.058
″
Microstrip
Z5 0.286
″
x 0.058
″
Microstrip
Z6 0.061
″
x 0.058
″
Microstrip
PCB getek 等级 ml200c, 0.031
″
,
ε
r
= 4.1
s21, s11, s22 (db)
S21
S11
RF
输出
RF
输入
V
供应
C3 C4
C5
Z1 Z2
C1
Z5
Z6
C2
R1
L1
V
CC
Z4Z3
DUT
MMG30XX
rev 2
表格 8. 50 ohm 测试 电路 组件 designations 和 值
部分 描述 部分 号码 生产者
c1, c2, c4 0.01
µ
f 碎片 电容 0603A103JAT2A AVX
C3 68 pf 碎片 电容 0805K680JBT AVX
C5
(1)
2.7 pf 碎片 电容 为 40-800 mhz 12105J2R7BBT AVX
L1 470 nh 碎片 inductor BK2125HM471 taiyo uden
R1 7.5
碎片 电阻 RK73B2AT7R5J koa speer
1. tuning 电容: 电容 值 和 location 在 这 传递 线条 是 varied 为 不同的 发生率.
表格 9. 供应 电压 相比 r1 值
供应 voltage
7 8 9 10 11 12 V
r1 值
4.4 10 15.6 21 27 32
Ω
便条: 至提供 v
CC
= 6.2 vdc 和 i
CC
= 180 毫安 在 这 设备.
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