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MMG3003NT1
9
rf 设备 数据
freescale 半导体
50 ohm 应用 电路: 2500-2700 mhz
图示 23. 50 ohm测试 电路 图式
RF
输出
RF
输入
V
供应
C3 C4
C5
Z1 Z2
C1
Z5
Z6
C2
R1
L1
V
CC
Z4Z3
DUT
图示 24. s21, s11 和 s22 相比 频率
2800
−40
30
2200
f, 频率 (mhz)
2300 2400 2600 2700
20
10
0
−10
−20
−30
图示 25. 50 ohm 测试 电路 组件 布局
C1
L1
C2
R1
C5
C4
C3
z1, z6 0.347
″
x 0.058
″
Microstrip
Z2 0.575
″
x 0.058
″
Microstrip
Z3 0.086
″
x 0.058
″
Microstrip
Z4 0.085
″
x 0.058
″
Microstrip
Z5 0.404
″
x 0.058
″
Microstrip
PCB getek 等级 ml200c, 0.031
″
,
ε
r
= 4.1
2500
s21, s11, s22 (db)
V
CC
= 6.2 vdc
I
CC
= 180 毫安
S22
S21
S11
MMG30XX
rev 2
表格 12. 50 ohm 测试 电路 组件 designations 和 值
部分 描述 部分 号码 生产者
c1, c2 2.2 pf 碎片 电容 0603A5J2R2BBT AVX
C3 68 pf 碎片 电容 0805K680JBT AVX
C4 0.01
µ
f 碎片 电容 0603A103JAT2A AVX
C5
(1)
1.2 pf 碎片 电容 为 2500-2700 mhz 06035J1R2BBT AVX
L1 39 nh 碎片 inductor hk160839nj-T taiyo uden
R1 7.5

碎片 电阻 RK73B2AT7R5J koa speer
1. tuning 电容: 电容 值 和 location 在 这 传递 线条 是 varied 为 不同的 发生率.

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MMG3003NT1 9 rf 设备数据 freescale 半导体 50 ohm 应用电路: 2500-2700 mhz 图示 23. 50 ohm测试电路图式 RF 输出 RF 输入 V 供应 C3 C4 C5 Z1 Z2 C1 Z5 Z6 C2 R1 L1 V CC Z4Z3 DUT 图示 24. s21, s11 和 s22 相比频率 2800 −40 30 2200 f, 频率 (mhz) 2300 2400 2600 2700 20 10 0 −10 −20 −30 图示 25. 50 ohm 测试电路组件布局 C1 L1 C2 R1 C5 C4 C3 z1, z6 0.347 ″ x 0.058 ″ Microstrip Z2 0.575 ″ x 0.058 ″ Microstrip Z3 0.086 ″ x 0.058 ″ Microstrip Z4 0.085 ″ x 0.058 ″ Microstrip Z5 0.404 ″ x 0.058 ″ Microstrip PCB getek 等级 ml200c, 0.031 ″ , ε r = 4.1 2500 s21, s11, s22 (db) V CC = 6.2 vdc I CC = 180 毫安 S22 S21 S11 MMG30XX rev 2 表格 12. 50 ohm 测试电路组件 designations 和值部分描述部分号码生产者 c1, c2 2.2 pf 碎片电容 0603A5J2R2BBT AVX C3 68 pf 碎片电容 0805K680JBT AVX C4 0.01 µ f 碎片电容 0603A103JAT2A AVX C5 (1) 1.2 pf 碎片电容为 2500-2700 mhz 06035J1R2BBT AVX L1 39 nh 碎片 inductor hk160839nj-T taiyo uden R1 7.5  碎片电阻 RK73B2AT7R5J koa speer 1. tuning 电容: 电容值和 location 在这传递线条是 varied 为不同的发生率.

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