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资料编号:1124115
 
资料名称:MHVIC2115NR2
 
文件大小: 201K
   
说明
 
介绍:
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
 
 


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2
rf 设备 数据
freescale 半导体
MHW1224LA
表格 2. 电的 特性
(v
CC
= 24 vdc, t
C
= 30
°
c, 75
系统, 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
交叉 调制 扭曲量
(v
输出
= + 50 dbmv 每 ch., worst 情况)
6
频道 flat
10
频道 flat
XMD
6
XMD
10
69
63
65
60
dBc
composite triple 跳动
(v
输出
= + 50 dbmv 每 ch., worst 情况)
6
频道 flat
10
频道 flat
CTB
6
CTB
10
78
69
75
66
dBc
噪音 图示
(f = 5
65 mhz)
NF
6.3 7
dB
直流 电流 I
直流
85 95 110 毫安
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