相似物 整体的 电路 设备 数据
freescale 半导体 9
33742
静态的 电的特性
输出 终端 (vdd) (持续)
(16)
温度 门槛 区别
T
SD
-t
PW
20 — 40 °C
重置 门槛
门槛 1, default 值 之后 重置, rstth 位 设置 至 逻辑 [0]
门槛 2, rstth 位 设置 至 逻辑 [1]
V
RSTTH
4.5
4.0
4.6
4.2
4.7
4.3
V
vdd 为 重置 起作用的
V
DDR
1.0 — V
RSTTH
V
线条 规章制度 (i
DD
= 10 毫安, 电容 = 47
µ
f tantalum 在 vdd)
9.0 v < v
SUP
< 18 V
5.5 v < v
SUP
< 27 V
V
DDR
—
—
5.0
10
25
25
mV
加载 规章制度 (电容 = 47
µ
f tantalum 在 v1)
1.0 毫安 < i
DD
< 200 毫安
V
LD
—2575
mV
热的 稳固
V
SUP
= 13.5 v, i
DD
= 100 毫安
(17)
V
therm-s
—3050
mV
输出 终端 在 停止 模式 (vdd)
(16)
vdd 输出 电压
I
DD
≤
2.0 毫安
I
DD
≤
10 毫安
V
DDSTOP
4.75
4.75
5.0
5.0
5.25
5.25
V
I
DD
输出 电流 至 wake-向上
I
dds-wu
10 17 25 毫安
重置 门槛
(16)
门槛 1, default 值 之后 重置, rstth 位 设置 至 逻辑 [0]
门槛 2, rstth 位 设置 至 逻辑 [1]
V
RST-停止
4.5
4.1
4.6
4.2
4.7
4.3
V
线条 规章制度 (电容 = 47
µ
f tantalum 在 vdd)
5.5 v < v
SUP
< 27 v, i
DD
= 2.0 毫安
V
lr-停止
—5.025
mV
加载 规章制度 (电容 = 47
µ
f tantalum 在 v1)
1.0 毫安 < i
DD
< 10 毫安
V
ld-停止
—1575
mV
注释
16. I
DD
是 这 总的 调整器 输出 电流. vdd 规格 with 外部 电容. 稳固 必要条件: 电容 > 47
µ
f, 等效串联电阻 <
1.3
Ω
(tantalum 电容). 在 重置, 正常的 要求, normal 和 备用物品 模式, measures 和 电容 = 47
µ
F
tantalum.可选择的 用 rstth 位 在 spi寄存器 重置 控制 寄存器 (rcr).
17. 有保证的 用 描绘 和 design; 它 是 不 生产 测试.
表格 4. 静态的 电的 特性 (持续)
特性 指出 下面 情况 4.75 V
≤
V2
≤
5.25 v, 5.5 V
≤
V
SUP
≤
18 v, 和 -40
°
C
≤
T
一个
≤
125
°
c. 典型 值
指出 反映 这 approximate 参数 意思 在 t
一个
=25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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