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资料编号:112639
 
资料名称:TC58DVG02A1FT00
 
文件大小: 447.52K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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TC58DVG02A1FT00
2003-01-10 2/44
块 图解
绝对 最大 比率
标识 比率 值 单位
V
CC
电源 供应 电压
0.6 至 4.6 V
V
输入 电压
0.6 至 4.6 V
V
i/o
输入/输出 电压
0.6 v 至 v
CC
0.3 v (
4.6 v) V
P
D
电源 消耗 0.3 W
T
焊盘
焊接 温度 (10s) 260 °C
T
stg
存储 温度
55 至 150 °C
T
opr
运行 温度 0 至 70 °C
电容
*
(ta
25°c, f
1 mhz)
symb0l 参数 情况 最小值 最大值 单位
C
输入 V
0 v
10 pf
C
输出
输出 V
输出
0 v

10 pf
*
这个 参数 是 periodically 抽样 和 是 不 测试 为 每 设备.
i/o 控制 电路
状态 寄存器
地址 寄存器
command 寄存器
column 缓存区
column 解码器
数据 寄存器
sense 放大
记忆 cell 排列控制
hv 发生器
行 地址 解码器
逻辑 控制
用/ry
V
CC
i/o1
V
SS
i/o8
WP
CE
CLE
ALE
我们
RE
用/ry
行 地址 缓存区
解码器
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