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资料编号:112639
 
资料名称:TC58DVG02A1FT00
 
文件大小: 447.52K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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TC58DVG02A1FT00
2003-01-10 3/44
有效的 blocks
(1)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
N
VB
号码 的 有效的 blocks 8032

8192 blocks
(1) 这 tc58dvg02a1 occasionally 包含 unusable blocks. 谈及 至 应用 便条 (14) 对着 这 终止 的 这个 文档.
这 第一 块 (块 地址 #00) 是 有保证的 至 是 一个 有效的 块 在 这 时间 的 运送.
推荐 直流 运行 情况
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC
电源 供应 电压 2.7 3.3 3.6 V
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0

V
CC
0.3 V
V
IL
低 水平的 输入 电压
0.3
*

0.8 v
*
2 v (脉冲波 宽度 更小的 比 20 ns)
直流 特性
(ta
0° 至 70°c, v
CC
2.7 v 至 3.6 v)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
IL
输入 泄漏 电流 V
0 v 至 v
CC

10
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 v
输出
0 v 至 v
CC

10
一个
I
CCO1
运行 电流 (串行 读) CE
V
IL
, i
输出
0 毫安, t
循环
50 ns
10 30 毫安
I
CCO3
运行 电流
(command 输入)
t
循环
50 ns
10 30 毫安
I
CCO4
运行 电流 (数据 输入) t
循环
50 ns
10 30 毫安
I
CCO5
运行 电流
(地址 输入)
t
循环
50 ns
10 30 毫安
I
CCO7
程序编制 电流
 
10 30 毫安
I
CCO8
erasing 电流

10 30 毫安
I
CCS1
备用物品 电流 CE
V
ih,
WP
0v/v
CC

1 毫安
I
CCS2
备用物品 电流 CE
V
CC
0.2 v
,
WP
0v/v
CC
10 50
一个
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH

400
一个 2.4

V
V
OL
低 水平的 输出 电压 I
OL
2.1 毫安

0.4 V
I
OL
( 用/RY ) 输出 电流 的 用/RY 管脚 V
OL
0.4 v
8
毫安
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