ug2 序列
rev.l
–
27 april, 2001
6
交流 特性
tj = 25
°
c, 处理 典型 (所有 值 在 ns)
VDD
缓存区 描述 加载 转变
5V 3V
BOUT12 输出 缓存区 和 12 毫安 驱动 60pf Tplh 3.18 4.67
Tphl 2.35 3.33
VDD
Cell 描述 加载 转变
5V 3V
BINCMOS cmos 输入 缓存区 15 风扇 Tplh 0.75 1.12
Tphl 0.7 0.98
BINTTL ttl 输入 缓存区 16 风扇 Tplh 0.88 1.29
Tphl 0.65 1.03
INV 反相器 12 风扇 Tplh 0.54 0.85
Tphl 0.39 0.49
NAND2 2
–
输入 与非 12 风扇 Tplh 0.57 0.89
Tphl 0.49 0.67
FDFF d flip
–
flop, clk 至 q 8 风扇 Tplh 0.86 1.30
Tphl 0.73 1.08
Ts 0.44 1.06
Th 0.00 0.00
电源 消耗量
静态的 电源 消耗量 为 ug2 序列 ulcs
那里 是 三 主要的 factors 至 考虑:
–
泄漏 在 这 核心:
–
P
LC
= v
DD
* i
CCSB
* 号码 的 使用 门
–
泄漏 在 输入 和 触发-陈述 输出:
–
P
LIO
= v
DD
* (i
IX
* n + i
OZ
* m)
–
在哪里: n = 号码 的 输入
–
m = 号码 的 触发-陈述 输出
–
小心 必须 是 带去 至 包含 这 适合的
图示 为 管脚 和 拉-ups 或者 拉-downs. 在
实践, 这 静态的 消耗量 计算 是
典型地 完毕 至 决定 这 备用物品 电流
的 一个 设备; 在 这个 情况 仅有的 那些 管脚 sourcing
电流 应当 是 包含, i.e. 在哪里 v
在
或者
V
输出
= v
DD
.
–
直流 电源 消耗 在 驱动 i/o 缓存区 预定的 至
resistive 负载:
–
在 实践, 这 静态的 消耗量 计算 是
典型地 完毕 至 决定 这 备用物品 电流
的 一个 设备, 和 下面 circumstances 在哪里 所有 的
这 输出 是 触发-陈述 或者 在 输入 模式. 所以 这个
期 是 零.
–
global formula 为 静态的 消耗量:
–
P
SB
= p
LC
+ p
LIO
动态 电源 消耗量 为 ug2 序列
ULCs
那里 是 四 主要的 factors 至 考虑:
–
静态的 电源 消耗 是 negligible 对照的 至
动态 和 能 是 ignored.
–
直流 电源 消耗 在 i/o 缓存区 预定的 至 resistive
负载:
–
P
1
(mw) = v
OL
*
Σ
n
(d
Ln
* i
OLn
) + ( v
DD
–
V
OH
)
*
Σ
n
(d
Hn
* i
OHn
)
–
在哪里:
Σ
n
是 一个 summation 在 所有 的 这 输出
和 i/os.
–
I
OLn
和 i
OHn
是 这 适合的 值 为
驱动器 n
–
D
Ln
= percentage 的 时间 n 是 正在 驱动 至 v
OL
–
D
Hn
= percentage 的 时间 n 是 正在 驱动 至
V
OH
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