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资料编号:1128670
 
资料名称:APM9945K
 
文件大小: 456K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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





(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)

(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
标识 参数 n 频道 p 频道 单位
V
DSS
流-源 电压
20 -20
V
GSS
门-源 电压
±16 ±12
V
I
D
*
持续的 流 电流
9 -6
I
DM
*
300
µ
s 搏动 流 电流
9
30
30 -20
一个
I
S
*
二极管 持续的 向前 电流
1.5 -1.2
一个
T
J
最大 接合面 温度
150
T
STG
存储 温度 范围 -55 至 150
°
C
T
一个
=25
°
c 2
P
D
*
电源 消耗
T
一个
=100
°
C
0.8
W
R
θ
JA
*
热的 阻抗-接合面 至 包围的
62.5
°
c/w
便条:
*surface 挂载 在 1in
2
垫子 范围, t
10sec.
APM9932CK
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 特性
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
n-ch 20
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
=0v, i
DS
=-250
µ
一个
p-ch -20
V
V
DS
=16v, v
GS
=0v n-ch 1
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
=-16v, v
GS
=0v p-ch -1
µ
一个
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
n-ch 0.55 0.7 1.5
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=-250
µ
一个
p-ch -0.45 -0.6 -1
V
V
GS
=±16v, v
DS
=0v n-ch
±100
I
GSS
门 泄漏 电流
V
GS
=±12v, v
DS
=0v p-ch
±100
nA
V
GS
=4.5v, i
DS
=9a n-ch 12 18
V
GS
=-4.5v, i
DS
=-6a p-ch 30 45
V
GS
=2.5v, i
DS
=6a n-ch 18 27
R
ds(在)
一个
流-源 在-状态
阻抗
V
GS
=-2.5v, i
DS
=-4a p-ch 50 65
m
I
SD
=1.5a, v
GS
=0v n-ch 0.75 1.3
V
SD
一个
二极管 向前 电压
I
SD
=-1.2a, v
GS
=0v p-ch -0.8 -1.3
V
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