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资料编号:1128670
 
资料名称:APM9945K
 
文件大小: 456K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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
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1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 10 30
1e-3
0.01
0.1
1
2
挂载 在 1in
2
垫子
R
θ
JA
: 62.5
o
c/w
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
单独的 脉冲波
职责 = 0.5

I
D
- 流 电流 (一个)
流 电流
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
safe 运作 范围
V
DS
- 流 - 源 电压 (v)
热的 瞬时 阻抗
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
电源 消耗
P
tot
- 电源 (w)
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
I
D
- 流 电流 (一个)
n-频道
0 20406080100120140160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
2
4
6
8
10
0.01 0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
100
rds(在) 限制
1s
T
一个
=25
O
C
10ms
1ms
100ms
直流
normalized 瞬时 热的 阻抗
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