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资料编号:1128671
 
资料名称:APM9968CO
 
文件大小: 456K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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




R
ds(在)
- 在 - 阻抗 (
)
流-源 在 阻抗
I
D
- 流 电流 (一个)
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
门 门槛 电压
V
DS
- 流-源 电压 (v)
I
D
- 流 电流 (一个)
输出 特性
转移 特性
V
GS
- 门 - 源 电压 (v)
I
D
- 流 电流 (一个)
normalized 门槛 电压

0246810
0
4
8
12
16
20
2.5v
2V
V
GS
= 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10v
0 5 10 15 20 25 30
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
=4.5v
V
GS
=2.5v
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
4
8
12
16
20
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
µΑ
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