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资料编号:1128671
 
资料名称:APM9968CO
 
文件大小: 456K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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

R
ds(在)
- 在 - 阻抗 (
)
流-源 在 阻抗
-i
D
- 流 电流 (一个)-v
DS
- 流 - 源 电压 (v)
-i
D
- 流 电流 (一个)
输出 特性
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
门 门槛 电压转移 特性
-v
GS
- 门 - 源 电压 (v)
-i
D
- 流 电流 (一个)
normalized 门槛 电压
02468
0
2
4
6
8
10
-2v
V
GS
= -2.5, -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10v
0246810
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GS
= -2.5v
V
GS
= -4.5v
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
0
2
4
6
8
10
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
DS
= -250
µΑ
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