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资料编号:1128699
 
资料名称:APM4546J
 
文件大小: 554K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Cannel)
 
 


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一个NPECElectronicsCorp.
Rev.B.1-Sep.,2005
www.一个npec.com.tw
5
一个PM4548K
Rds(在)- 在 - 阻抗 (m
)
Dr一个in-SourceOnResist一个nce
ID-Dr一个inCurrent(一个)
Tj-JunctiTemper一个ture(°C)
G一个teThresholdVolt一个ge
VDS-Dr一个in-SourceVoltage(V)
ID- 流 电流 (一个)
OutputCh一个r交流teristics
Tr一个nsferCh一个r交流teristics
VGS-G一个te-SourceVoltage(V)
ID- 流 电流 (一个)
normalized 门槛 电压
Typic一个lCh一个r一个cteristics(Cont.)
N-Ch一个nnel
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
0
5
10
15
20
25
30
2V
3V
V
GS
= 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10v
0 5 10 15 20 25 30
5
10
15
20
25
30
35
40
V
GS
=10V
V
GS
=4.5v
0 1 2 3 4 5
0
5
10
15
20
25
30
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
µ
一个
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