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资料编号:1128706
 
资料名称:APM4808K
 
文件大小: 490K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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Copyright
一个NPECElectronicsCorp.
Rev.B.1-Nov.,2005
www.一个npec.com.tw
2
一个PM4904K
一个bsoluteM一个ximumR一个tings
(T
一个
=25
°
Cunlessotherwiseted)
Electric一个lCh一个r一个cteristics
(T
一个
=25
°
Cunlessotherwiseted)
标识 参数 比率 单位
V
DSS
-源 电压
30
V
GSS
-源 电压
±16
V
I
D
*
持续的流 电流
7
I
DM
*
300
µ
s搏动 流 电流
V
GS
=10V
30
一个
I
S
* 二极管 持续的 向前 电流 2 一个
T
J
最大 接合面温度
150
T
STG
存储温度 范围 -55 至 150
°C
T
一个
=25°C 2
P
D
*
最大 电源 消耗
T
一个
=100°C
0.8
W
R
θ
JA
*
热的 阻抗-接合面 至 包围的
62.5 °C/W
便条:
*surface 挂载 在 1in
2
垫子 范围, t
10sec.
APM4904K
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的特性
BV
DSS
-损坏 电压
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
30 V
V
DS
=24v, v
GS
=0V 1
I
DSS
零 门 电压 流 电流
T
J
=85°C 30
µ
一个
V
gs(th)
门 门槛电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
1 1.5 2 V
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
16v, v
DS
=0V ±100 nA
V
GS
=10v, i
DS
=7一个 22 28
R
ds(在)
一个
-源 在-状态 阻抗
V
GS
=4.5v, i
DS
=5一个 26 34
m
V
SD
一个
二极管 向前 电压 I
SD
=2一个, v
GS
=0V 0.8 1.1 V
门 承担特性
b
Q
g
总的 门 承担 22 30
Q
gs
-源 承担 2.5
Q
gd
-流 承担
V
DS
=15v, v
GS
=10v,
I
DS
=7一个
3.6
nC
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