首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1128718
 
资料名称:APM4429K
 
文件大小: 426K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号APM4429K的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个






(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)

(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压
30
V
GSS
门-源 电压
±20
V
I
D
*
持续的 流 电流
12.5
I
DM
*
300
µ
s 搏动 流 电流
V
GS
=10V
50
一个
I
S
*
二极管 持续的 向前 电流
3.2
一个
T
J
最大 接合面 温度
150
T
STG
存储 温度 范围 -55 至 150
°
C
T
一个
=25
°
c 2
P
D
*
最大 电源 消耗
T
一个
=100
°
c 0.8
W
R
θ
JA
*
热的 阻抗-接合面 至 包围的
62.5
°
c/w
便条:
*surface 挂载 在 1in
2
垫子 范围, t
10sec.
APM4430K
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
30 V
V
DS
=24v, v
GS
=0v 1
I
DSS
零 门 电压 流 电流
T
J
=85
°
C 30
µ
一个
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
1 1.5 2 V
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=±20v, v
DS
=0v ±100 na
V
GS
=10v, i
DS
=12.5a 4.5 5
R
ds(在)
一个
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=5v, i
DS
=7a 7 8
m
V
SD
一个
二极管 向前 电压 I
SD
=2.3a, v
GS
=0v 0.7 1.3 v
动态 特性
b
R
G
门 阻抗 V
GS
=0v,v
DS
=0v,f=1mhz 1.7
C
iss
输入 电容 4720
C
oss
输出 电容 815
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
频率=1.0mhz
240
pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 21 38
T
r
转变-在 上升 时间 15 27
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 102 148
T
f
转变-止 下降 时间
V
DD
=15v, r
L
=15
,
I
DS
=1a, v
GEN
=10v,
R
G
=6
,
37 55
ns
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com