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资料编号:1128718
 
资料名称:APM4429K
 
文件大小: 426K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
APM4430K
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
门 承担 特性
b
Q
g
总的 门 承担 82 107
Q
gs
门-源 承担 17
Q
gd
门-流 承担
V
DS
=15v, v
GS
=10v,
I
DS
=12.5a
14
nC
注释:
一个 : 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
b : 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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