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全部-桥 电源
场效应晶体管 控制
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电的 特性:
除非 否则 指出 在 t
一个
= -40°c 至 +135°c, t
J
= -40°c 至 +150°c,
V
在
≤≤
≤≤
≤
V
BB
= 7 v 至 40 v, c
p
= 0.47 µf, c
r
= 1 µf, c
REG5
= 0.1 µf, c
REG13
= 10 µf, c
激励
= 0.1 µf, pwm = 22.5 khz
正方形的 波.
限制
特性 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
控制 逻辑
逻辑 输入 电压 V
在(1)
高 水平的 输入 (逻辑 1), 除了 重置. 2.0 – – V
V
在(1)
高 水平的 输入 (逻辑 1) 为 重置 2.2 – – V
V
在(0)
低 水平的 输入 (逻辑 0) – – 0.8 V
逻辑 输入 电流 I
在(1)
V
在
= 2.0 v – 40 100 µA
I
在(0)
V
在
= 0.8 v, 除了 重置(0) – 16 40 µA
I
在(0)
V
在
= 0.8 v, 重置(0) – – 1.0 µA
门 驱动, ghx, glx ( 内部的 源 或者 upper 转变 stages)
输出 高 电压 V
dsl(h)
ghx: i
xU
= -10 毫安, v
sx
= 0
V
REG13
- 2.2
–
V
REG13
V
glx: i
xU
= -10 毫安, v
lss
= 0
V
REG13
- 0.2
–
V
REG13
V
源 电流 (搏动) I
xU
V
SDU
= 10 v, t
J
= 25°c – 700 – 毫安
V
SDU
= 10 v, t
J
= 135°c 400 – – 毫安
源 在 阻抗 r
sdu(在)
I
xU
= -150 毫安, t
J
= 25°c 4.0 – 13
Ω
I
xU
= -150 毫安, t
J
= 135°c 7.0 – 23
Ω
源 加载 上升 时间 t
r
measure v
DSL
, 20% 至 80%, c
L
= 3300 pf – 90 – ns
门 驱动, ghx, glx ( 内部的 下沉 或者 更小的 转变 stages)
输出 低 电压 V
dsl(l)
ghx: i
xL
= 10 毫安, v
sx
= 0 – – 150 mV
glx: i
xL
= 10 毫安, v
lss
= 0 – – 150 mV
下沉 电流 (搏动) I
xL
V
DSL
= 10 v, t
J
= 25°c – 800 – 毫安
V
DSL
= 10 v, t
J
= 135°c 550 – – 毫安
下沉 在 阻抗 r
dsl(在)
I
xL
= +150 毫安, t
J
= 25°c 1.8 – 6.0
Ω
I
xL
= +150 毫安, t
J
= 135°c 3.0 – 7.5
Ω
下沉 加载 下降 时间 t
f
measure v
DSL
, 80% 至 20%, c
L
= 3300 pf – 70 – ns
门 驱动, ghx, glx (一般)
传播 延迟 t
pd
逻辑 输入 至 unloaded ghx, glx – – 225 ns
输出 skew 时间 t
sk(o)
grouped 用 rising 或者 下落 边缘 – – 50 ns
dead 时间 t
dead
长 = 0, r
DEAD
= 12.1 k
Ω
(i
DEAD
= 167 µa) 0.3 – – µs
(shoot-通过prevention) 长 = 0, r
DEAD
= 499 k
Ω
(i
DEAD
= 4 µa) – – 11.0 µs
在 ghx, glx transitions 长 = 1, r
DEAD
= 12.1 k
Ω
(i
DEAD
= 167 µa) 8.3 – – µs
的 一样 阶段 长 = 1, r
DEAD
= 499 k
Ω
(i
DEAD
= 4 µa) – – 345 µs
注释: 典型数据 是 为 设计 信息 仅有的.
负的 电流 是 定义 作 coming 输出 的 (sourcing) 这 指定 设备 终端.
为 gh
X
: v
SDU
= v
CX
– v
GHX
, v
DSL
= v
GHX
– v
SX
, v
dsl(h)
= v
CX
– v
SDU
– v
SX
.
为 gl
X
: v
SDU
= v
REG
– v
GLX
, v
DSL
= v
GLX
– v
LSS
, v
dsl(h)
= v
REG
– v
SDU
– v
lss.