3940
全部-桥 电源
场效应晶体管 控制
115 northeast 截止, 盒 15036
worcester, massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000
6
电的 特性:
除非 否则 指出 在 t
一个
= -40°c 至 +135°c, t
J
= -40°c 至 +150°c,
V
在
≤≤
≤≤
≤
V
BB
= 7 v 至 40 v, c
p
= 0.47 µf, c
r
= 1 µf, c
REG5
= 0.1 µf, c
REG13
= 10 µf, c
激励
= 0.1 µf, pwm = 22.5 khz
正方形的 波.
限制
特性 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
自举 电路
二极管 向前 电流 限制 I
CX
3 v < [(v
REG13
= 13.5 v) - v
CX
] < 12 v 140 – 1000 毫安
二极管 向前 漏出 V
F
I
F
= 10 毫安 0.8 – 2.0 V
二极管 阻抗 R
F
R
F
(100) = [v
F
(150) - v
F
(50)]/100 1.5 – 6.5
Ω
顶-止 cp 源 电流 在 cx Icx V
CX
- v
SX
= 8 v, v
BB
= 40 v, ghx = 1(非 加载) 40 – – µA
故障 逻辑
vbb 欠压 V
bb(uv)
减少 v
BB
4.5 5.25 6.0 V
vbb 欠压 hysteresis
∆
V
bb(uv)
V
bb(恢复)
- v
bb(uv)
200 450 700 mV
vreg13 欠压 V
reg13(uv)
减少 v
在
7.5 8.25 9.0 V
vreg13 欠压 hyst.
∆
V
reg13(uv)
V
reg13(恢复)
- v
reg13(uv)
200 450 700 mV
vbb 超（电）压 V
bb(ov)
增加 v
BB
, 故障 = 0 至 1, v
OVSET
= 0 v 16 19.6 22 V
增加 v
BB
, 故障 = 0 至 1, v
OVSET
= 0.45 v 24 28 30.5 V
增加 v
BB
, 故障 = 0 至 1, v
OVSET
= 0.9 v 32.5 36.4 39 V
vbb 超（电）压 hysteresis
∆
V
bb(ov)
V
bb(ov)
- v
bb(恢复)
2.1 3.1 4.1 V
ovset 输入 电流 I
设置(ov)
0 v < v
设置(ov)
< 0.9 v – – 1.4 µA
vdsth 输入 电流 I
DSTH
0.3 v < v
DSTH
< 3 v – – 1.0 µA
短的-至-地面 门槛 V
stg(th)
V
DSTH
= 0.3 v
V
DSTH
-0.14 – V
DSTH
+0.10
V
V
DSTH
= 1.0 v
V
DSTH
-0.18 – V
DSTH
+0.13
V
V
DSTH
= 3.0 v
V
DSTH
-0.39 – V
DSTH
+0.26
V
短的-至-电池 门槛 V
stb(th)
V
DSTH
= 0.3 v
V
DSTH
-0.20 – V
DSTH
+0.30
V
V
DSTH
= 1.0 v
V
DSTH
-0.24 – V
DSTH
+0.30
V
V
DSTH
= 3.0 v
V
DSTH
-0.37 – V
DSTH
+0.30
V
V
流
/打开 桥 门槛 V
做(th)
如果 v
流
< v
做(th)
, 故障 = 0 至 1 1.0 – 3.0 V
V
流
/打开 桥 电流 I
VDRAIN
重置 = 0 – – 1.0 µA
重置 = 1, v
DSTH
< 3 v – – 500 µA
故障 获得 clear pulsewidth t
获得
重置 = 0, 脉冲波 0.15 – 2.0 µs
故障 clear 传播 延迟 t
pd
从 重置 = 1 至 故障 = 0 – 2.0 – µs
故障 发现 噪音 过滤 t
噪音
– 1.7 – µs
故障 输出 V
输出(0)
I
输出
= 5 毫安, faults negated – – 0.4 V
I
输出(1)
V
输出
= 5 v, 打开-流, 故障 asserted – – 1.0 µA
热的 关闭 温度 T
J
T
J
增加 – 172 – °C
热的 关闭 hysteresis
∆
T
J
T
J
减少 – 12 – °C
注释: 典型数据 是 为 设计 信息 仅有的.
负的 电流 是 定义 作 coming 输出 的 (sourcing) 这 指定 设备 终端.
y
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