ADuM1210
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电的 characteristics—mixed 5 v/3 v 或者 3 v/5 v 运作
所有 电压 是 相关的 至 它们的 各自的 地面. 5 v/3 v 运作: 4.5 v ≤ v
DD1
≤ 5.5 v, 2.7 v ≤ v
DD2
≤ 3.6 v. 3 v/5 v 运作: 2.7 v
≤ v
DD1
≤ 3.6 v, 4.5 v ≤ v
DD2
≤ 5.5 v. 所有 最小值/最大值 规格 应用 在 这 全部 推荐 运行 范围, 除非 否则
指出. 所有 典型 规格 是 在 t
一个
= 25°c; v
DD1
= 3.0 v, v
DD2
= 5.0 v; 或者 v
DD1
= 5.0 v, v
DD2
= 3.0 v.
表格 3.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
直流 规格
输入 供应 电流, 每 频道,
安静的
I
ddi (q)
毫安
5 v/3 v 运作 0.50 0.6 毫安
3 v/5 v 运作 0.26 0.35 毫安
输出 供应 电流, 每 频道,
安静的
I
ddo (q)
毫安
5 v/3 v 运作 0.11 0.20 毫安
3 v/5 v 运作 0.19 0.25 毫安
总的 供应 电流, 二 途径
1
直流 至 2 mbps
V
DD1
供应 电流 I
dd1 (q)
5 v/3 v 运作 1.1 1.4 毫安 直流 至 1 mhz 逻辑 信号 freq.
3 v/5 v 运作 0.6 1.0 毫安 直流 至 1 mhz 逻辑 信号 freq.
V
DD2
供应 电流 I
dd2 (q)
5 v/3 v 运作 0.2 0.6 毫安 直流 至 1 mhz 逻辑 信号 freq.
3 v/5 v 运作 0.5 0.8 毫安 直流 至 1 mhz 逻辑 信号 freq.
10 mbps
V
DD1
供应 电流 I
dd1 (10)
5 v/3 v 运作 4.3 5.5 毫安 5 mhz 逻辑 信号 freq.
3 v/5 v 运作 2.2 3.4 毫安 5 mhz 逻辑 信号 freq.
V
DD2
供应 电流 I
dd2 (10)
5 v/3 v 运作 0.7 1.1 毫安 5 mhz 逻辑 信号 freq.
3 v/5 v 运作 1.3 2.0 毫安 5 mhz 逻辑 信号 freq.
输入 电流 I
IA
, i
IB
−10 0.01 10 µA 0 ≤ v
IA
, v
IB
≤ v
DD1
或者 v
DD2
逻辑 高 输入 门槛 V
IH
0.7 v
DD1
, v
DD2
V
逻辑 低 输入 门槛 V
IL
0.3 v
DD1
, v
DD2
V
5 v/3 v 运作 0.8 V
3 v/5 v 运作 0.4 V
逻辑 高 输出 电压 V
OAH
, v
OBH
V
DD1
/
V
DD2
− 0.1
V
DD1
,
V
DD2
v i
Ox
= −20 µa, v
Ix
= v
IxH
V
DD1
/
V
DD2
− 0.5
V
DD1
,
V
DD2
− 0.2
v i
Ox
= −4 毫安, v
Ix
= v
IxH
逻辑 低 输出 电压 V
OAL
, v
OBL
0.0 0.1 V I
Ox
= 20 µa, v
Ix
= v
IxL
0.04 0.1 V I
Ox
= 400 µa, v
Ix
= v
IxL
0.2 0.4 V I
Ox
= 4 毫安, v
Ix
= v
IxL
切换 规格
最小 脉冲波 宽度
2
PW 100 ns C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
最大 数据 比率
3
10 Mbps C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
传播 延迟
4
t
PHL
, t
PLH
15 55 ns C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
脉冲波 宽度 扭曲量, |t
PLH
− t
PHL
|
4
PWD 3 ns C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
改变 vs. 温度 5 ps/°c C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
传播 延迟 skew
5
t
PSK
22 ns C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
频道-至-频道 相一致,
codirectional 途径
6
t
PSKCD
3 ns C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
频道-至-频道 相一致,
opposing-directional 途径
6
t
PSKOD
22 ns C
L
= 15 pf, cmos 信号 水平
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