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ADG859
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0
承担 injection (pc)
30
0 5.0
V
D
(v)
05258-017
25
20
15
10
5
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 3v
V
DD
= 5v
图示 9. 承担 injection vs. 源 电压
0
2
4
6
8
10
12
14
时间 (ns)
020–40 –20 40 60 80
温度 (
°
c)
05258-018
V
DD
= 3.3v
t
在
V
DD
= 5v
V
DD
= 3.3v
t
止
V
DD
= 5v
图示 10. t
在
/t
止
时间 vs. 温度
–12
–10
–8
–6
–4
–2
0
在 回馈 (db)
100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G
频率 (hz)
05258-019
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 3v/5v
图示 11. 带宽
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
attenuation (db)
100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
频率 (hz)
05258-020
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 3v/5v
图示 12. 止 分开 vs. 频率
100M
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
attenuation (db)
100 1k 10k 100k 1M 10M
频率 (hz)
05258-021
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 3v/5v
图示 13. 串扰 vs. 频率
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
thd + n (%)
频率 (hz)
05258-022
T
一个
= 25
°
C
0 5k 10k 15k 20k
V
DD
= 3v, v
S
= 2v p-p
V
DD
= 5v, v
S
= 3v p-p
图示 14. 总的 调和的 扭曲量 + 噪音

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ADG859 rev. 0 \| 页 8 的 16 0 承担 injection (pc) 30 0 5.0 V D (v) 05258-017 25 20 15 10 5 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 T 一个 = 25 ° C V DD = 3v V DD = 5v 图示 9. 承担 injection vs. 源电压 0 2 4 6 8 10 12 14 时间 (ns) 020–40 –20 40 60 80 温度 ( ° c) 05258-018 V DD = 3.3v t 在 V DD = 5v V DD = 3.3v t 止 V DD = 5v 图示 10. t 在 /t 止时间 vs. 温度 –12 –10 –8 –6 –4 –2 0 在回馈 (db) 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G 频率 (hz) 05258-019 T 一个 = 25 ° C V DD = 3v/5v 图示 11. 带宽 –120 –100 –80 –60 –40 –20 0 attenuation (db) 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 频率 (hz) 05258-020 T 一个 = 25 ° C V DD = 3v/5v 图示 12. 止分开 vs. 频率 100M –120 –100 –80 –60 –40 –20 0 attenuation (db) 100 1k 10k 100k 1M 10M 频率 (hz) 05258-021 T 一个 = 25 ° C V DD = 3v/5v 图示 13. 串扰 vs. 频率 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18 0.20 thd + n (%) 频率 (hz) 05258-022 T 一个 = 25 ° C 0 5k 10k 15k 20k V DD = 3v, v S = 2v p-p V DD = 5v, v S = 3v p-p 图示 14. 总的调和的扭曲量 + 噪音

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