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资料编号:1131279
 
资料名称:ADG1236
 
文件大小: 594K
   
说明
 
介绍:
Low Capacitance, Low Charge Injection,±15 V/12 V iCMOS?, Dual SPDT Switch
 
 


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ADG1236
rev. 0 | 页 5 的 16
单独的 供应
V
DD
= 12 v ± 10%, v
SS
= 0 v, 地 = 0 v, 除非 否则 指出.
表格 2.
y 版本
1
参数 25°c
−40°c 至
+85°C
−40°c 至
+125°C
单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
V
在 阻抗 (r
) 300 Ω 典型值 V
S
= 0 v 至 10 v, i
S
= −1 毫安;图示 20
475 567 625 Ω 最大值 V
DD
= 10.8 v, v
SS
= 0 v
在 阻抗 相一致 在
途径 (r
)
4.5 Ω 典型值 V
S
= 0 v 至 10 v, i
S
= −1 毫安
16 26 27 Ω 最大值
在 阻抗 flatness (r
flat(在)
) 60 Ω 典型值 V
S
= 3v, 6 v,9 v, i
S
= −1 毫安
泄漏 电流
V
DD
= 13.2 v
源 止 泄漏, i
S
(止) ±0.02 na 典型值 V
S
= 1 v/10 v, v
D
= 10 v/1 v;图示 21
±0.1 ±0.6 ±1 na 最大值
流 止 泄漏, i
D
(止) ±0.02 na 典型值 V
S
= 1 v/10 v, v
D
= 10 v/1 v;图示 21
±0.1 ±0.6 ±1 na 最大值
频道 在 泄漏, i
D
, i
S
(在) ±0.02 na 典型值 V
S
= v
D
= 1 v 或者 10 v,图示 22
±0.2 ±0.6 ±1 na 最大值
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.0 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流, i
INL
或者 i
INH
0.001 µa 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±0.1 µa 最大值
数字的 输入 电容, c
3
pf 典型值
动态 特性
2
转变 时间, t
TRANS
B
一个
105 ns 典型值 R
L
= 300 Ω, c
L
= 35 pf
140 175 ns 最大值 V
S
= 8 v;图示 23
转变 时间, t
TRANS
一个
B
155 ns 典型值 R
L
= 300 Ω, c
L
= 35 pf
190 255 ns 最大值 V
S
= 8 v;图示 23
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
50
ns 典型值 R
L
= 300 Ω, c
L
= 35 pf
10 ns 最小值 v
S1
= v
S2
= 8 v;图示 24
承担 injection −0.8
pc 典型值 V
S
= 6 v, r
S
= 0 Ω, c
L
= 1 nf;图示 25
止 分开 75
db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;图示 26;
频道-至-频道 串扰 85
db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;图示 27
−3 db 带宽 800
mhz 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf;图示 28
C
S
(止) 1.6 pf 典型值 f = 1 mhz; v
S
= 6 v
1.9 pf 最大值 f = 1 mhz; v
S
= 6 v
C
D
, c
S
(在) 4 pf 典型值 f = 1 mhz; v
S
= 6 v
4.9 pf 最大值 f = 1 mhz; v
S
= 6 v
电源 (所需的)东西
V
DD
= 13.2 v
I
DD
0.001 µa 典型值 数字的 输入 = 0 v 或者 v
DD
1.0 µa 最大值
I
DD
170 µa 典型值 数字的 输入 = 5 v
230 µa 最大值
1
温度 范围 为 y 版本 是 −40°c 至 +125°c.
2
有保证的 用 设计; 不 主题 至 生产 测试.
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