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资料编号:1131279
 
资料名称:ADG1236
 
文件大小: 594K
   
说明
 
介绍:
Low Capacitance, Low Charge Injection,±15 V/12 V iCMOS?, Dual SPDT Switch
 
 


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ADG1236
rev. 0 | 页 9 的 16
典型 效能 特性
源 或者 流 电压 (v)
在 阻抗 (
Ω
)
200
100
0
–18 –15 –12 –9 –6 –3 12 15906318
04776-011
180
160
140
120
80
60
40
20
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 15v
V
SS
= –15V
V
DD
= 16.5v
V
SS
= –16.5v
V
DD
= 13.5v
V
SS
= –13.5v
图示 4. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为 双 供应
源 或者 流 电压 (v)
在 阻抗 (
Ω
)
600
300
0
–6 –4 –2 402 6
04776-012
500
400
200
100
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 5v
V
SS
= –5V
V
DD
= 5.5v
V
SS
= –5.5v
V
DD
= 4.5v
V
SS
= –4.5v
图示 5. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为 双 供应
源 或者 流 电压 (v)
在 阻抗 (
Ω
)
450
250
300
0
02 46 12810 14
04776-013
400
350
150
200
100
50
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 12v
V
SS
= 0v
V
DD
= 13.2v
V
SS
= 0v
V
DD
= 10.8v
V
SS
= 0v
图示 6. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为 单独的 供应
温度 (
°
c)
在 阻抗 (
Ω
)
250
0
–15 –10 –5 1005 15
04776-014
150
200
100
50
T
一个
= +25
°
C
T
一个
= +85
°
C
T
一个
= +125
°
C
T
一个
= –40
°
C
V
DD
= 15v
V
SS
= –15V
图示 7. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为 不同的 温度,
双 供应
温度 (
°
c)
在 阻抗 (
Ω
)
600
0
024 1068 12
04776-015
300
400
200
500
100
T
一个
= +25
°
C
T
一个
= +85
°
C
T
一个
= +125
°
C
T
一个
= –40
°
C
V
DD
= 12v
V
SS
= 0v
图示 8. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为 不同的 温度,
单独的 供应
温度 (
°
c)
泄漏 (na)
0.20
–0.20
0 20 40 10060 80 120
04776-016
0
0.05
0.10
0.15
–0.05
–0.15
–0.10
I
D
, i
S
(在)
I
S
(止)
V
DD
= 15v
V
SS
= –15V
V
偏差
= +10v/–10v
图示 9. 泄漏 电流 作 一个 函数 的 温度, 双 供应
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