sep. 2000
mitsubishi insulated 门 双极 晶体管
ct60am-18b
resonant 反相器 使用
10
0
10
1
23 57 10
2
23 57
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
t
d(止)
t
d(在)
t
f
t
r
T
j
= 25°c
V
CC
= 300v
V
GE
= 15v
R
G
= 10
Ω
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
5
7
10
0
357 2 10
1
357 2 10
2
357 32
T
j
= 25°c
V
GE
= 0v
f = 1mh
Z
Cies
Coes
Cres
10
0
10
1
23 57 10
2
23 57
10
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
2
3
t
d(止)
t
d(在)
t
f
t
r
T
j
= 25°c
V
CC
= 300v
V
GE
= 15v
I
C
= 60a
0
4
8
12
16
20
0 80 160 240 320 400
V
CE
= 250v
400V
600V
I
C
= 60a
T
j
= 25°c
0
40
80
120
160
200
0 4 8 12 16 20
V
CE
= 5v
脉冲波 测试
25°C
0
16
32
48
64
80
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
V
GE
= 0v
脉冲波 测试
T
C
= 25°c
集电级 电流 vs.
门-发射级 电压
(典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
切换 时间 vs.门 阻抗
(典型)
门 阻抗 r
G
(
Ω
)
切换 时间 (ns)
切换 特性
(典型)
集电级 电流 i
C
(一个)
切换 时间 (ns)
电容 vs.
集电级-发射级 电压
(典型)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
电容 cies, coes, cres (pf)
发射级-集电级 电压 v
EC
(v)
转移 特性
(典型)
发射级 电流 i
E
(一个)
门 承担 q
g
(nc)
门-发射级 电压
vs. 门 承担 典型的
(典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)