6
LTC1149
ltc1149-3.3/ltc1149-5
管脚 10 连接 显示 为 ltc1149-3.3 和 ltc1149-5; 改变 create ltc1149.
fu ctio al diagra
UUW
OPERATIO
U
(谈及 至 函数的 图解)
电流 是 制造 均衡的 至 这 输出 电压 (mea-
sured 用 管脚 8) 至 模型 这 inductor 电流, 这个
decays 在 一个 比率 这个 是 也 均衡的 至 这 输出
电压. 当 这 定时 电容 是 discharging, 这
ngate 输出 是 高, turning 在 这 n-频道 场效应晶体管.
当 这 电压 在 这 定时 电容 有 释放
past v
TH1
, 比较器 t trips, 设置 这 flip-flop. 这个
导致 这 ngate 输出 至 go 低 (turning 止 这
n-频道 场效应晶体管) 和 这 pgate 输出 至 也 go 低
(turning 这 p-频道 场效应晶体管 后面的 在). 这 循环 然后
repeats.
作 这 加载 电流 增加, 这 输出 电压
减少 slightly. 这个 导致 这 输出 的 这 增益
平台 至 增加 这 电流 比较器 门槛, 因此
追踪 这 加载 电流.
这 sequence 的 events 为 burst 模式 运作 是 非常
类似的 至 持续的 运作 和 这 循环 interrupted
用 这 电压 比较器. 当 这 输出 电压 是 在
或者 在之上 这 desired 管制 值, 这 p-频道 场效应晶体管
是 使保持 止 用 比较器 v 和 这 定时 电容
持续 至 释放 在下 v
TH1
. 当 这 定时
电容 discharges past v
TH2
, 电压 比较器 s
trips, 造成 这 内部的 睡眠 线条 至 go 低 和 这
n-频道 场效应晶体管 至 转变 止.
这 电路 now enters 睡眠 模式 和 两个都 电源
mosfets 转变 止. 在 睡眠 模式, 更 的 这 电路系统
是 转变 止, dropping 这 供应 电流 从 一些
milliamperes (和 这 mosfets 切换) 至 600
µ
一个.
当 这 输出 电容 有 释放 用 这 数量
的 hysteresis 在 比较器 v, 这 p-频道 场效应晶体管 是
又一次 转变 在 和 这个 处理 repeats. 至 避免 这
运作 的 这 电流 循环 interfering 和 burst 模式
运作, 一个 建造-在 补偿 是 组成公司的 在 这 增益
平台. 这个 阻止 这 电流 比较器 门槛
从 增加 直到 这 输出 电压 有 dropped
在下 一个 最小 门槛.
至 阻止 两个都 这 外部 mosfets 从 总是 正在
转变 在 在 这 一样 时间, 反馈 是 组成公司的 至
sense 这 状态 的 这 驱动器 输出 管脚. 在之前 这 n-门
输出 能 go 高, 这 p-驱动 输出 必须 也 是 高.
likewise, 这 p-驱动 输出 是 阻止 从 going 低
当 这 n-门 输出 是 高.
使用 常量 止-时间 architecture, 这 运行 fre-
quency 是 一个 函数 的 这 输入 电压. 至 降低 这
频率 变化 作 落后 是 approached, 这 止-
时间 控制 增加 这 释放 电流 作 v
在
drops 在下 v
输出
+ 1.5v. 在 落后 这 p-频道
场效应晶体管 是 转变 在 continuously.
–
+
NGATE
13
PDRIVE
4
5
V
CC
500k
PGATE
1
12
PGND
16
500k
CAP
3
V
CC
15
SHDN2
2
V
在
14
RGND
–
+
–
+
9
SENSE
+
V
R
S
Q
V
TH1
–
+
25mv 至 150mv
13k
G
涉及
1.25v
11
SGND
7
I
TH
C
V
OS
8
SENSE
–
1149 fd
10
SHDN1
(v
FB
)
–
+
T
V
TH2
S
睡眠
6
C
T
止-time
控制
V
在
SENSE
–
LOW
DROPOUT
10V
调整器
100k
: 点此下载
