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飞利浦 半导体 直线的 产品 产品 规格
ne/sa/se555/se555ctimer
8月 31, 1994
348
绝对 最大 比率
标识 参数 比率 单位
供应 电压
V
CC
SE555 +18 V
ne555, se555c, sa555 +16 V
P
D
最大 容许的 电源 消耗
1
600 mW
T
一个
运行 包围的 温度 范围
NE555 0 至 +70
°
C
SA555 -40 至 +85
°
C
se555, se555c -55 至 +125
°
C
T
STG
存储 温度 范围 -65 至 +150
°
C
T
出售
含铅的 焊接 温度 (10sec 最大值) +300
°
C
注释:
1. 这 接合面 温度 必须 是 保持 在下 125
°
c 为 这 d 包装 和 在下 150
°
c 为 这 fe, n 和 f 包装. 在 包围的 tempera-
tures 在之上 25
°
c, 在哪里 这个 限制 将 是 derated 用 这 下列的 factors:
d 包装 160
°
c/w
fe 包装 150
°
c/w
n 包装 100
°
c/w
f 包装 105
°
c/w

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飞利浦半导体直线的产品产品规格 ne/sa/se555/se555ctimer 8月 31, 1994 348 绝对最大比率标识参数比率单位供应电压 V CC SE555 +18 V ne555, se555c, sa555 +16 V P D 最大容许的电源消耗 1 600 mW T 一个运行包围的温度范围 NE555 0 至 +70 ° C SA555 -40 至 +85 ° C se555, se555c -55 至 +125 ° C T STG 存储温度范围 -65 至 +150 ° C T 出售含铅的焊接温度 (10sec 最大值) +300 ° C 注释: 1. 这接合面温度必须是保持在下 125 ° c 为这 d 包装和在下 150 ° c 为这 fe, n 和 f 包装. 在包围的 tempera- tures 在之上 25 ° c, 在哪里这个限制将是 derated 用这下列的 factors: d 包装 160 ° c/w fe 包装 150 ° c/w n 包装 100 ° c/w f 包装 105 ° c/w

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