FM20L08
rev. 1.3
六月 2005 页 8 的 14
电的 规格
绝对 maximum 比率
标识 描述 比率
V
DD
电源 供应 电压 和 遵守 至 v
SS
-1.0v 至 +5.0v
V
在
电压 在 任何 信号 管脚 和 遵守 至 v
SS
-1.0v 至 +5.0v 和
V
在
< v
DD
+1V
T
STG
存储 温度
-55
°
c 至 +125
°
C
T
含铅的
含铅的 温度 (焊接, 10 秒)
300
°
C
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个
压力 比率 仅有的, 和 这 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这
运算的 部分 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
直流 运行 情况
(t
一个
= 0
°
c 至 +70
°
c, v
DD
= 3.3v +10%, -5% 除非 否则 指定)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 注释
V
DD
电源 供应 3.1353.3 3.63 V
I
DD
V
DD
供应 电流 22 毫安 1
I
SB
备用物品 电流 - cmos 15
µ
一个
2
V
TP
V
DD
trip 要点 至 assert (deassert) /lvl 2.80 2.90 2.99 V 3
I
LI
输入 泄漏 电流
±
1
µ
一个
4
I
LO
输出 泄漏 电流
±
1
µ
一个
4
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
DD
+ 0.3 V
V
IL
输入 低 电压 -0.3 0.6 V
V
OH
输出 高 电压 (
I
OH
= -1.0 毫安)
2.4 - v
V
OL
输出 低 电压 (
I
OL
= 2.1 毫安)
- 0.4 v 5
注释
1.
V
DD
= 3.6v, /ce cycling 在 最小 循环 时间. 所有 输入 在 cmos 水平 (0.2v 或者 v
DD
-0.2v), 所有 dq 管脚 unloaded.
2.
V
DD
= 3.6v, /ce 在 v
DD
, 所有 其它 管脚 在 cmos 水平 (0.2v 或者 v
DD
-0.2v).
3.
这个 是 这 v
DD
trip 电压 在 这个 /lvl 是 asserted 或者 deasserted. 当 v
DD
rises 在之上 v
TP
, /lvl 将 是 deasserted
之后 satisfying t
PULV
. 当 v
DD
drops 在下 v
TP
, /lvl 将 是 asserted 之后 satisfying t
PDLV
.
4.
V
在
, v
输出
在 v
DD
和 v
SS
.
5.
为 这 /lvl 管脚, 这 测试 情况 是 i
OL
= 80
µ
一个 当 v
DD
是 在 3.135v 和 1.2v. 这 状态 的 这 /lvl 管脚 是 不
有保证的 当 v
DD
是 在下 1.2v.
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