flash 记忆
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初步的
K9G8G08U0M
K9LAG08U1M
电容
(
T
一个
=25
°
c, v
CC
=3.3v, f=1.0mhz)
便条
: 电容 是 periodically 抽样 和 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入/输出 电容 C
i/o
V
IL
=0V - 10 pF
输入 电容 C
在
V
在
=0V - 10 pF
有效的 块
便条
:
1. 这 设备 将 包含 最初的 invalid blocks 当 第一 shipped. 额外的 invalid blocks 将 开发 当 正在 使用. the 号码 的 有效的 blocks 是
提交 和 两个都 具体情况 的 invalid blocks 考虑. invalid blocks 是 定义 作 blocks 那包含 一个 或者 更多 bad 位.做 不 擦掉 或者 pro-
gram 工厂-marked bad blocks. 谈及 至这 连结 技术的 注释 为 适合的 管理 的 最初的 invalid blocks.
2. 这 1st 块, 这个 是放置 在 00h 块 地址, 是 有保证的 至 是 一个 有效的 块 在 这 时间 的 运送.
3. 这 号码 的 有效的 块 是 在 这 基准 的 单独的 plane 行动, 和 这个 将 是 decreased 和 二 平面 行动.
* : 各自 k9g8g08u0m 碎片 在 这 k9lag08u1m 有 maximun 100 invalid blocks.
参数 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
K9G8G08U0M N
VB
3,996 - 4,096 Blocks
K9LAG08U1M N
VB
7,992 8,192 Blocks
程序 / 擦掉 特性
便条
1. 典型 值 是 量过的 在 vcc=3.3v, ta=25
°
c. 不 100% 测试.
2. 典型 程序 时间 是 定义 作 这 时间 在里面 这个 更多 比 50% 的 这 全部的 页 是 programed 在 3.3v vcc 和 25
°
c 温度.
3. 在里面 一个 一样 块, 程序 时间(tprog) 的 页 组 一个 是faster 比 那 的 页 组 b. 典型 tprog 是 这 平均 程序 时间 的 这
页 组 一个 和 b(表格 2).
页 组 一个: 页 0, 1, 2, 3, 6, 7, 10, 11, ... , 110, 111, 114, 115, 118, 119, 122, 123
页 组 b: 页 4, 5, 8, 9, 12, 13, 16, 17, ... , 116, 117, 120, 121, 124, 125, 126, 127
参数 标识 最小值 Typ 最大值 单位
程序 时间 t
PROG
-0.83 ms
dummy busy 时间 为 multi 平面 程序 t
DBSY
0.5 1
µ
s
号码 的 partial 程序 循环在 这 一样 页 Nop - - 1 循环
块 擦掉 时间 t
BERS
-1.510ms
模式 选择
便条
: 1. x 能 是 v
IL
或者 v
ih.
2. wp应当 是 片面的 至 cmos 高 或者 cmos 低 为 备用物品.
CLE ALE CE 我们 RE WP 模式
HLL HX
读 模式
command 输入
L H L H X 地址 输入(5clock)
HLL HH
写 模式
command 输入
L H L H H 地址 输入(5clock)
L L L H H 数据 输入
L L L H X 数据 输出
xxxxhx 在 读(busy)
xxxxxh 在 程序(busy)
xxxxxh 在 擦掉(busy)
X
X
(1)
X X X L 写 保护
XXHXX
0v/v
CC
(2)
保卫-用
交流 测试 情况
(k9xxg08uxm-xcb0 :ta=0 至 70
°
c, k9xxg08uxm-xib0:ta=-40 至 85
°
c)
参数 K9XXG08UXM
输入 脉冲波 水平 0v 至 vcc
输入 上升 和 下降 时间 5ns
输入 和 输出 定时 水平 vcc/2
输出 加载 1 ttl 门 和 cl=50pf
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