75N75
电源
场效应晶体管
unisonic 科技 co., 有限公司
2 的 8
www.unisonic.com.tw
qw-r502-097,一个
绝对 最大 比率
参数 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
75 V
T
C
= 25 75 一个
持续的 流 电流
T
C
= 100
I
D
56 一个
流 电流 搏动 (便条 1) I
DM
300 一个
门 至 源 电压 V
GS
20
V
单独的 搏动 (便条 2) E
作
900 mj
avalanche 活力
repetitive (便条 1) E
AR
300 mj
顶峰 二极管 恢复 dv/dt (便条 3) dv/dt 15 v/ns
T
C
= 25 220 w
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
P
D
1.4 w/
接合面 温度 T
J
+150
存储 温度 T
STG
-55 ~ +150
便条: 绝对 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 这 设备 可以 是 permanently 损坏.
绝对 最大 比率 是 压力 比率 only 和 函数的 设备 operation 是 不 暗指.
热的 数据
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗 接合面-包围的
θ
JA
62.5
/w
热的 阻抗 接合面-情况
θ
JC
0.8
/w
热的 阻抗 情况-下沉
θ
CS
0.5
/w
电的 特性
(t
C
= 25 , 除非 否则 指定)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
流-源 损坏 电压 BV
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa 75 V
损坏 电压 温度
系数
BV
DSS
/ T
J
I
D
= 1ma,
关联 至 25
0.08 v/
V
DS
= 75 v, v
GS
= 0 v 20 µA
流-源 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 75 v, v
GS
= 0 v,
T
J
= 150
250 µa
门-源 泄漏 电流 V
GS
= 20v, v
DS
= 0 v 100 nA
门-源 泄漏 反转
I
GSS
V
GS
= -20v, v
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa 2.0 4.0 V
静态的 流-源 在-状态
阻抗
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 48 一个 12.5 15 m
Ω
动态 特性
输入 电容 C
ISS
3300 pf
输出 电容 C
OSS
530 pF
反转 转移 电容 C
RSS
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v
f = 1mhz
80 pf
切换 特性
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
12 ns
上升 时间 t
R
79 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
80 ns
下降 时间 t
F
V
DD
= 38v, i
D
=48a,
V
GS
=10v, (便条 4, 5)
52 ns
总的 门 承担 Q
G
90 140 nc
门-源 承担 Q
GS
20 35 nc
门-流 承担 (miller 承担) Q
GD
V
DS
= 60v, v
GS
= 10 v
I
D
= 48a, (便条 4, 5)
30 45 nc
: 点此下载
