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资料编号:1134326
 
资料名称:75N75
 
文件大小: 181.06K
   
说明
 
介绍:
75N75_UTC.pdf
 
 


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75N75
电源
场效应晶体管
unisonic 科技 co., 有限公司
6 的 8
www.unisonic.com.tw
qw-r502-097,一个
典型 特性
10
2
10
1
10
0
10
1
10
-1
10
0
流-源 电压,V
DS
(v)
流 电流,I
D
(一个)
-stateCh一个racteristics
10
2
10
1
10
0
2
-所以urceVoltage, v
GS
(v)
流 电流,I
D
(一个)
转移 特性
46810
3579
V
GS
: 15V
10 V
8 V
7 V
6 V
5 .5V
5V
Bottorm : 4.5V
4.5v
便条:
1. v
DS
=25V
2. 20
µ
s 脉冲波 测试
1
5
0
2
5
11
0
Dr一个in-source 在-resistance, r
ds(在)
(m )
流 电流, i
D
(一个)
30 70 80
12
13
14
15
在-阻抗 变化 vs. 流
电流 和 门 电压
10
2
10
1
10
0
0.2
源-流 电压,V
SD
(v)
反转 流 电流,I
SD
(一个)
反转 流 电流 vs. 容许的 情况
温度
1.6
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.410 50 100
*note:
1. v
GS
=0V
2. 250
µ
s 测试
25
150
V
GS
=10V
20 40 60 90
4000
0
5
流-源 电压, v
直流
(v)
电容 (pf)
电容 特性
(非-repetitive)
1000
2000
10
0
Gate-至-sourceVoltage, v
GS
(v)
talGateCh一个rge, q
G
(nc)
5
15
20 25
8
10
12
门 承担 特性
10
6
4
2
0
25
6000
C
ISS
C
OSS
3000
5000
15 20 30 35
*note:
1. v
GS
=0V
2.f = 1mhz
C
RSS
30 35 40 45
V
DS
=60V
V
DS
=38V
*note: i
D
=48A
C
ISS=
C
GS
+C
GD
(c
DS
=短接)
C
OSS
=C
DS
+C
GD
C
RSS
=C
GD
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