3185
THRU
3189
通道-效应 latches
为 高-温度
运作
115 northeast 截止, 盒 15036
worcester, massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000
传感器 locations
(
±
0.005” [0.13 mm] 消逝 placement)
包装 designators “lt”
1 32
Dwg. mh-008-4b
0.030"
0.76 mm
NOM
起作用的 范围 depth
0.050"
1.27 mm
0.090"
2.27 mm
一个
包装 designator “u”
1 32
Dwg. mh-002-7b
0.015"
0.38 mm
NOM
打烙印
表面
起作用的 范围 depth
0.077"
1.96 mm
0.092"
2.33 mm
一个
包装 designators “ua” 和 "ua-tl"
1 32
Dwg. mh-011-4b
0.018"
0.46 mm
NOM
打烙印
表面
起作用的 范围 depth
0.083"
2.10 mm
0.060"
1.51 mm
一个
这 simplest 表格 的 磁铁 那 将 运作 这些 设备 是 一个 环绕
磁铁, 作 显示 在下. 其它 方法 的 运作 是 可能.
dwg. 一个-11,899
运作
在 运作, 这 输出 晶体管 是 止 直到 这 力量 的 这 mag-
netic 地方 垂直的 至 这 表面 的 这 碎片 超过 这 门槛 或者
运作 要点 (b
运算
). 当 这 地方 力量 超过 b
运算
, 这 输出 transis-
tor switches 在 和 是 有能力 的 sinking 25 毫安 的 电流.
这 输出 晶体管 switches 止 当 有磁性的 地方 倒置 结果
在 一个 有磁性的 通量 密度 在下 这 止 门槛 (b
RP
). 这个 是 illustrated
在 这 转移 特性 图表 (a3187* 显示).
便条 那 这 设备 latches; 那 是, 一个 南 柱子 的 sufficient 力量
将 转变 这 设备 在. 除去 的 这 南 柱子 将 leave 这 设备 在.
这 存在 的 一个 北 柱子 的 sufficient 力量 是 必需的 至 转变 这
设备 止.
产品 信息
extensive 产品 信息 在 magnets 和 通道-效应 传感器 是
也 有 在 这
allegro 整体的 和 分离的 半导体 数据
书
或者
应用 便条
27701.
30 v
最大值
0+B
0
输出 电压 在 伏特
通量 密度
dwg. gh-034-4
-b
RP
B
V
输出(sat)
BB
V
运算
B
虽然 传感器 location 是 精确 至 三
sigma 为 一个 particular 设计, 产品 改进-
ments 将 结果 在 小 改变 至 传感器
location.
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