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三-阶段 电源
场效应晶体管 控制
115 northeast 截止, 盒 15036
worcester, massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000
4
电的 特性:
除非 否则 指出 在 t
J
= -40°c 至 +150°c, v
BAT
= 7 v 至 16 v,
V
DD
= 4.75 v 至 5.25 v, 使能 = 22.5 khz, 50% 职责 cycle, 二 阶段 active.
限制
特性 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电源 供应
V
DD
供应 电流 I
DD
所有 逻辑 输入 = 0 v – – 7.0 毫安
V
BAT
供应 电流 I
BAT
所有 逻辑 输入 = 0 v – – 3.0 毫安
电池 电压 运行 范围 V
BAT
7.0 – 40 V
自举 二极管 向前 电压 V
DBOOT
I
DBOOT
= -i
cx
= 10 毫安, v
DBOOT
= v
REG
– v
CX
0.8 – 2.0 V
I
DBOOT
= -i
cx
= 100 毫安 1.5 – 2.3 V
自举 二极管 阻抗 r
DBOOT
r
D
(100 毫安) = [v
D
(150 毫安) – v
D
(50 毫安)]/100 毫安 2.5 – 7.5
Ω
自举 二极管 电流 限制 I
DM
3 v < [v
REG
– v
CX
] < 12 v -150 – -1150 毫安
自举 安静的 电流 I
CX
V
CX
= 40 v, ghx = 在 10 – 30 µA
自举 refresh 时间 t
refresh
V
SX
= 低 至 保证
∆
v = +0.5 v refresh 的 – – 2.0 µs
0.47 µf 激励 cap 在 v
cx
– v
sx
= +10 v
vreg 输出 电压
1
V
REG
V
BAT
= 7 v 至 40 v, v
BOOST
从 boost reg 12.7 – 14 V
vreg 落后 电压
2
V
REGDO
V
REGDO
= v
boost
– v
reg
, i
reg
= 40 毫安 – 0.9 – V
门 驱动 avg. 供应 电流 I
REG
非 外部 直流 加载 在 vreg, c
REG
= 10 µf – – 40 毫安
vreg 输入 偏差 电流 I
REGBIAS
电流 在 v
BOOST
, 使能 = 0 – – 4.0 毫安
boost 供应
V
BOOST
输出 电压 限制 V
BOOSTM
V
BAT
= 7 v 14.9 – 16.3 V
V
BOOST
输出 volt. 限制 hyst.
∆
V
BOOSTM
35 – 180 mV
boost 转变 在 阻抗 r
ds(在)
I
BOOSTD
< 300 毫安 – 1.4 3.3
Ω
最大值 boost 转变 电流 I
BOOSTSW
– – 300 毫安
boost 电流 限制 门槛 volt.
V
bi(th)
增加 v
BOOSTS
0.45 – 0.55 V
止 时间 t
止
3.0 – 8.0 µs
blanking 时间 t
blank
100 – 220 ns
注释: 典型数据 和 典型 特性 是 为 设计 信息 仅有的.
负的 电流 是 定义 作 coming 输出 的 (sourcing) 这 指定 设备 终端.
1. 为 v
BOOSTM
< v
BOOST
< 40 v 电源 消耗 在 这 v
REG
ldo 增加. 注意到 t
J
< 150 °c 限制.
2. 和 v
BOOST
减少 落后 电压 量过的 在 v
REG
= v
REGref
– 200 mv 在哪里 v
reg(ref)
= v
REG
在 v
BOOST
= 16 v.
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