3935
三-阶段 电源
场效应晶体管 控制
115 northeast 截止, 盒 15036
worcester, massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000
8
终端 功能
A3935KED A3935KJP A3935KLQ
终端 名字 函数 (plcc) (qlfp) (soic)
CSP 电流-sense 输入, 积极的-一侧 31 19 1
VDSTH 直流输入, 流-至-源 监控 门槛 电压 32 20 2
LSS 门-驱动 源 返回, 低-一侧 33 21 3
GLC 门-驱动 c 输出, 低-一侧 36 22 4
SC 加载 阶段 c 输入 37 26 5
GHC 门-驱动 c 输出, 高-一侧 38 27 6
CC 自举 电容 c 39 28 7
GLB 门-驱动 b 输出, 低-一侧 40 29 8
SB 加载 阶段 b 输入 41 30 9
GHB 门-驱动 b 输出, 高-一侧 42 31 10
CB 自举 电容 b 43 32 11
GLA 门-驱动 一个 输出, 低-一侧 44 33 12
SA 加载 阶段 一个 输入 3 34 13
GHA 门-驱动 一个 输出, 高-一侧 4 38 14
CA 自举 电容 一个 5 39 15
VREG 门 驱动 供应, 积极的 6 40 16
VDRAIN kelvin 连接 至 场效应晶体管 高-一侧 drains 7 41 17
VBOOST boost 供应 输出 8 42 18
BOOSTS boost 转变, 源 9 43 19
BOOSTD boost 转变, 流 10 44 20
VBAT 电池 供应, 积极的 13 46 22
UVFLT vbat 欠压 故障 输出 14 3 23
OVFLT vbat 超（电）压 故障 输出 15 4 24
故障 起作用的-低 故障 输出, primary 16 5 25
ALO 门 控制 输入 一个, 低-一侧 17 6 26
AHI 门 控制 输入 一个, 高-一侧 18 7 27
BHI 门 控制 输入 b, 高-一侧 19 8 28
BLO 门 控制 输入 b, 低-一侧 20 9 29
CLO 门 控制 输入 c, 低-一侧 21 10 30
CHI 门 控制 输入 c, 高-一侧 24 11 31
使能 门 输出 使能 25 12 32
OVSET 直流 输入, 超（电）压 门槛 设置 为 vbat 26 15 33
NC 不 连接, 非 外部 连接 允许 27 1,2,13,14,23,24, –
25,35,36,37,47,48
CSOUT 电流-sense 放大器 输出 28 16 34
VDD 逻辑 供应, nominally +5 v 29 17 35
CSN 电流-sense 输入, 负的-一侧 30 18 36
地 地面, 直流 供应 returns, 负的, 和 (为 ed package) 1, 2, 11, 12, 45 21
热温 下沉 tab
22, 23, 34, 35
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