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worcester, massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000
115 northeast 截止, 盒 15036
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数据 薄板
29319.150
3946
Half
-桥 电源 场效应晶体管 控制
应用 信息
自举 电容 选择
.
C
激励
必须 是 cor-
rectly 选择 至 确保 恰当的 运作 的 这 设备. 如果
too 大, 时间 是 wasted charging 这 电容, 和 这
结果 正在 一个 限制 在 这 最大 职责 循环 和 pwm
频率. 如果 这 电容 是 too 小, 这 电压 漏出 能
是 too 大 在 这 时间 这 承担 是 trans ferred 从 这
C
激励
至 这 场效应晶体管 门.
至 保持 这 电压 漏出 小:
Q
激励
>> q
门
在哪里 一个 因素 在 这 范围 的 10 至 20 是 合理的. 使用
20 作 这 因素:
Q
激励
= c
激励
×
V
激励
= q
门
×
20
和
C
激励
= q
门
×
20 / v
激励
这 电压 漏出 在 这 激励 管脚, 作 这 场效应晶体管 是 正在
转变 在, 能 是 近似 用:
delta_v = q
门
/ c
激励
为 例子, 给 一个 门 承担, q
门
, 的 160 nc, 和 这
典型 激励 管脚 电压 的 12 v, 这 值 的 这 激励
电容, c
激励
, 能 是 决定 用:
C
激励
= (160 nc
×
20) / 12 v
≈
0.266 µf
因此, 一个 0.22 µf 陶瓷的 (x7r) 电容 能 是 选择
为 这 激励 电容.
在 那 情况, 这 电压 漏出 在 这 激励 管脚, 当 这
高-一侧 场效应晶体管 是 转变 在, 是:
delta_v = 160 nc / 0.22 µf = 0.73 v
自举 charging
.
它 是 好的 实践 至 确保 那 这
高-一侧 自举 电容 是 完全地 charged 在之前 一个
高-一侧 pwm 循环 是 re quest ed.
这 时间 必需的 至 承担 这 电容 能 是 ap prox i-
mat ed 用:
t
承担
= c
激励
(delta_v / 100 毫安)
在 电源-向上 和 当 这 驱动器 有 被 无能 为
一个 长 时间, 这 自举 电容 能 是 完全地
释放. 在 这个 情况, delta_v 能 是 考虑 至 是 这
全部 高-一侧 驱动 电压, 12 v. 否则, delta_v 是 这
数量 的 电压 dropped 在 这 承担 转移, 这个
应当 是 400 mv 或者 较少. 这 电容 是 charged whenever
这 s 管脚 是 牵引的 低, 通过 一个 gl pwm 循环, 和 电流
fl
ows 从 vreg 通过 这 内部的 自举 二极管
电路 至 c
激励
.
电源 消耗
.
为 高 包围的 温度
产品, 那里 将 是 little 余裕 为 在-碎片 电源
con sump tion. 细致的 注意 应当 是 paid 至 确保 那
这 运算 er 在 ing 情况 准许 这 a3946 至 仍然是 在 一个 safe
范围 的 接合面 温度.
这 电源 consumed 用 这 a3946 能 是 es 德州仪器 mat ed 作:
p_总的 = pd_偏差 + pd_cpump + pd_切换_丧失
在哪里:
pd_偏差 = v
BB
×
I
VBB
, 典型地 3 毫安,
和
pd_cpump = (2v
BB
– v
REG
) i
AV E
, 为 v
BB
< 15 v, 或者
pd_cpump = (v
BB
– v
REG
) i
AV E
, 为 v
BB
> 15 v,
在 也 情况, 在哪里
I
AV E
= q
门
×
2
×
f
PWM
和
pd_切换_丧失 = q
门
×
V
REG
×
2
×
f
PWM
比率,
在哪里
比率 = 10
Ω
/ (r
门
+ 10
Ω
).