a420616 序列
初步的 1m x 16 cmos 动态 内存 和 edo 页 模式
初步的 (六月, 2002, 版本 0.2) 1
amic 技术, 公司
特性
n
organization: 1,048,576 words x 16 位
n
部分 identification
- a420616 (1k ref.)
n
单独的 5.0v 电源 供应/建造-在 vbb 发生器
n
低 电源 消耗量
- 运行: 120ma (-45 最大值)
-
备用物品: 1.0ma (ttl), 1.0ma (cmos)
1.5ma (自-refresh 电流)
n
高 速
- 45/50ns RAS 进入 时间
- 20/22ns column 地址 进入 时间
-
12/13ns CAS 进入 时间
-
18/20 ns edo 页 模式 循环 时间
n
工业的 运行 温度 范围:-40
°
c 至 85
°
C
为-U
n
快 页 模式 和 扩展 数据 输出
n
独立的
CAS
(
UCAS
,
LCAS
) 为 字节 选择
n
1k refresh 循环 在 16ms
n
读-modify-写, RAS -仅有的, CAS -在之前- RAS ,
hidden refresh 能力
n
TTL-兼容, 三-状态 i/o
n
电子元件工业联合会 标准 包装
-
400mil, 42-管脚 soj
-
400mil, 44/50 tsop 类型 ii 包装
一般 描述
这 a420616 是 一个 新 一代 randomly accessed
记忆 为 graphics, 有组织的 在 一个 1,048,576-文字 用
16-位 配置. 这个 产品 能 execute 字节写
和 字节 读 运作 通过 二
CAS
管脚.
这 a420616 提供 一个 accelerated 快 页 模式
管脚 配置
nn
SOJ
nn
TSOP
VCC
i/o
0
i/o
1
NC
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
i/o
13
i/o
14
i/o
15
VSS
A420616S
23
我们
RAS
i/o
12
OE
i/o
2
i/o
3
i/o
4
i/o
5
i/o
6
i/o
7
NC
NC
VCC
UCAS
LCAS
NC
i/o
8
i/o
9
i/o
10
i/o
11
VSS
20
19
18
12
16
17
13
14
15
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
VCC
i/o
0
i/o
1
NC
A0
A1
A2
A4
A5
A6
A7
A8
i/o
13
i/o
14
i/o
15
VSS
A420616V
24
我们
RAS
i/o
12
i/o
2
i/o
3
i/o
4
i/o
5
i/o
6
i/o
7
NC
NC
NC
VCC
VSS
LCAS
UCAS
NC
i/o
8
i/o
9
i/o
10
i/o
11
VSS
21
20
19
13
17
18
14
15
16
12
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
25
26
27
28
29
30
31
32
33
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
VCC
OE
21 22 VSSVCC
A0
A9
11
22 23
A3
A9
NC
34NC
循环 和 一个 特性 called 扩展 数据 输出 (edo).
这个 准许 随机的 进入 的 向上 至 1024 words 在里面 一个
行 在 一个 56/50 mhz edo 循环, 制造 这 a420616
ideally suited 为 graphics, 数字的 信号 处理 和
高 performance computing 系统.
管脚 描述
标识 描述
A0–A9 地址 输入
i/o
0
-i/o
15
数据 输入/输出
RAS
行 地址 strobe
LCAS
column 地址 strobe 为 更小的 字节
(i/o
0
–i/o
7
)
UCAS
column 地址 strobe 为 upper 字节
(i/o
8
–i/o
15
)
我们
写 使能
OE
输出 使能
VCC 5.0v 电源 供应
VSS 地面
NC 非 连接
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