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资料编号:114881
 
资料名称:A420616
 
文件大小: 272.59K
   
说明
 
介绍:
1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
a420616 序列
PReliminary (六月, 2002, 版本 0.2) 7
amic 技术, 公司
交流 特性
(持续)
(vcc = 5.0v
±
10%, vss = 0v, ta = 0
°
c 至+70
°
c 或者-40
°
c 至 +85
°
c)
测试 情况:
输入 定时 涉及 水平的: v
IH
/v
IL
=2.4v/0.8v
输出 涉及 水平的: v
OH
/v
OL
=2.0v/0.8v
输出 加载: 2ttl 门 + cl (50pf)
assumed t
T
=2ns
-45 -50
#
标准
标识
参数
最小值 最大值 最小值 最大值
单位
注释
20 t
RRH
读 command 支撑 时间 涉及 至 RAS
0 - 0 - ns 9
21 t
RAL
column 地址 至 RAS 含铅的 时间
20 - 22 - ns
22 t
COH
输出 支撑 之后 CAS
2 - 3 - ns
23 t
输出 缓存区 转变-止 delay 时间 - 2 - 3 ns 8, 10
24 t
ASC
column 地址 建制 时间 0 - 0 - ns
25 t
CAH
column 地址 支撑 时间 7 - 8 - ns
26 t
OES
OE
低 至 CAS 高 设置 向上
10 - 10 - ns
27 t
WCS
写 command 建制 时间 0 - 0 - ns 11
28 t
WCH
写 command 支撑 时间 7 - 8 - ns 11
29 t
WCR
写 command 支撑 时间 至 RAS
40 - 45 - ns
30 t
WP
写 command 脉冲波 宽度 7 - 8 - ns
31 t
RWL
写 command 至 RAS 含铅的 时间
12 - 13 - ns
32 t
CWL
Write command 至 CAS 含铅的 时间
7 - 8 - ns
33 t
DS
数据-在 建制 时间 0 - 0 - ns 12
34 t
DH
数据-在 支撑 时间 7 - 8 - ns 12
35 t
DHR
数据-在 支撑 时间 至 RAS
40 - 45 - ns
36 t
RWC
-Modify-写 循环 时间 104 - 114 - ns
37 t
RWD
RAS 我们 延迟 时间 (读-Modify-写)
59 - 65 - ns 11
38 t
CWD
CAS 我们 延迟 时间 (读-Modify-写)
26 - 28 - ns 11
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