a420616 序列
PReliminary (六月, 2002, 版本 0.2) 8
amic 技术, 公司
交流 特性 (持续)
(vcc = 5.0v
±
10%, vss = 0v, ta = 0
°
c 至 +70
°
c 或者-40
°
c 至 +85
°
c)
测试 情况:
输入 定时 涉及 水平的: v
IH
/v
IL
=2.4v/0.8v
输出 涉及 水平的: v
OH
/v
OL
=2.0v/0.8v
输出 加载: 2ttl 门 + cl (50pf)
assumed t
T
=2ns
-45 -50
#
标准
标识
参数
最小值 最大值 最小值 最大值
Un它
注释
39 t
AWD
column 地址 至 我们 延迟 时间
(读-Modify-写)
34 - 37 - ns 11
40 t
OEH
OE 支撑 时间 从 我们
7 - 8 - ns
41 t
OEP
OE High 脉冲波 宽度
5 - 5 - ns
42 t
PC
读 或者写 循环 时间 (edo 页) 18 - 20 - ns 14
43 t
CPA
进入 时间 从 CAS precharge (edo 页)
- 21 - 23 ns 13
44 t
CP
CAS precharge 时间
7 - 8 - ns
45 t
PCM
edo 页 模式 rmw 循环 时间 46 - 50 - ns
46 t
CRW
edo 页 模式 CAS 脉冲波 宽度 (rmw)
35 - 38 - ns
47 t
RASP
RAS 脉冲波 宽度 (edo 页)
45 200K 50 200K ns
48 t
CSR
CAS 建制 时间 ( CAS -在之前- RAS )
5 - 5 - ns 3
49 t
CHR
CAS 支撑 时间 ( CAS -在之前- RAS )
10 - 10 - ns 3
50 t
RPC
RAS 至 CAS precharge 时间
10 - 10 - ns 3
51 t
OEZ
输出 缓存区 转变-止 延迟 从 OE
- 2 - 3 ns 8
52 t
RASS
RAS 脉冲波 宽度 (
C
-B-
R
自 refresh)
100 - 100 -
µ
s
53 t
RPS
RAS precharge 时间 (
C
-B-
R
自 refresh)
76 - 84 - ns
54 t
CHS
CAS 支撑 时间 (
C
-B-
R
自 refresh)
-50 - -50 - ns
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