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资料编号:116856
 
资料名称:A617308V-15
 
文件大小: 201.86K
   
说明
 
介绍:
128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
a617308 序列
初步的(january, 2000, 版本 0.2) 4
amic 技术, 公司
真实 表格
模式
1CE
CE2
OE 我们
i/o 运作 供应 电流
H X X X 高 z I
SB
, i
SB1
备用物品
X L X X 高 z I
SB
, i
SB1
输出 使不能运转 L H H H 高 z I
CC1
L H L H D
输出
I
CC1
L H X L D
I
CC1
便条: x = h 或者 l
电容
(t
一个
= 25
°
c, f = 1.0mhz)
标识 参数 最小值 最大值 单位 情况
C
* 输入 电容 - 8 pF V
= 0v
C
i/o
* 输入/输出 电容 - 8 pF V
i/o
= 0v
* 这些 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
交流 特性
(t
一个
= 0
°
c 至 +70
°
c, vcc = 5v
±
10%)
标识 参数
a617308-10 a617308-12 a617308-15
单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环
t
RC
读 循环 时间 10 - 12 - 15 - ns
t
AA
地址 进入 时间 - 10 - 12 - 15 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间 - 10 - 12 - 15 ns
t
OE
输出 使能 至 输出 有效的 - 5 - 6 - 8 ns
t
CLZ
碎片 使能 至 输出 在 低 z 3 - 3 - 3 - ns
t
OLZ
输出 使能 至 输出 在 低 z 0 - 0 - 0 - ns
t
CHZ
碎片 使不能运转 输出 在 高 z 0 5 0 6 - 8 ns
t
OHZ
输出 使不能运转 至 输出 在 高 z 0 5 0 6 0 8 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3 - 3 - 3 - ns
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