数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
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©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
这个 returns 这 设备 至 这 读 运作. 请
便条 那 这 软件-重置 command 是 ignored 在 一个
内部的 程序 或者 擦掉 运作. 看 表格 4 为 软-
ware command 代号, 图示 13 为 定时 波形 和
图示 19 为 一个 flowchart.
设计 仔细考虑
sst 推荐 一个 高 频率 0.1 µf 陶瓷的 capac-
itor 至 是 放置 作 关闭 作 可能 在 v
DD
和
V
SS
, e.g., 较少 比 1 cm away 从 这 v
DD
管脚 的 这
设备. additionally, 一个 低 频率 4.7 µf electrolytic
电容 从 v
DD
至 v
SS
应当 是 放置 在里面 1 cm 的
这 v
DD
管脚.
图示 1: P
在
一个
SSIGNMENTS
为
40-
含铅的
tsop (10
MM
X
14
MM
) - sstlf041/043
i/o 缓存区
349 ill b1.6
地址 缓存区
DQ
7
- dq
0
OE#
BEF#
WE#
SuperFlash
记忆
SRAM
控制 逻辑
BES#
一个
MS
- 一个
0
一个
MS
= 大多数 重大的 地址
地址 缓存区
&放大; latches
F
UNCTIONAL
B
锁
D
IAGRAM
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE#
NC
BES#
NC
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
A17
V
SS
NC
NC
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
DD
V
DD
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE#
V
SS
BEF#
A0
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
349 ill f01.2
标准 引脚
顶 视图
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