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资料编号:117679
 
资料名称:MB84VD23280FA-70
 
文件大小: 792.26K
   
说明
 
介绍:
64M (X8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X8/X16) STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MB84VD23280FA
-70
7
■■
设备 总线 行动
用户 总线 行动 (flash = 文字 模式; ciof = v
CC
f, sram = 文字 模式; cios = v
CC
s)
legend: l = v
IL
, h = v
IH
, x = v
IL
或者 v
IH
. 看 直流 特性 为 电压 水平.
*1 : 其它 行动 除了 为 表明 这个 column 是 inhibited.
*2 : 我们
能 是 v
IL
如果 oe是 v
IL
, oe在 v
IH
initiates 这 写 行动.
*3 : 做 不 应用 ce
f = v
IL
, ce1s = v
IL
和 ce2s = v
IH
在 一个 时间.
*4 : 也 使用 为 这 扩展 sector 组 protections.
*5 : 保护 的 “outermost” 2 x 4 kwords 在 两个都 ends 的 各自 激励 块 sector.
运作 *
1,
*
3
CEfCE1sCE2s OE 我们 SA LB UB DQ
7
至 dq
0
DQ
15
至 dq
8
重置
WP/
ACC
*
5
全部 备用物品 H
HX
X X X X X 高-z 高-z H X
XL
输出 使不能运转
HL H
H H X X X 高-z 高-z
HX
X X X H H 高-z 高-z
L
HX
H H X X X 高-z 高-z
XL
读 从 flash *
2
L
HX
LHXXX D
输出
D
输出
HX
XL
写 至 flash L
HX
HLXXX D
D
HX
XL
读 从 sram H L H L H X
LL D
输出
D
输出
HXH L 高-z D
输出
LH D
输出
高-z
写 至 sram H L H X L X
LL D
D
HXH L 高-z D
LH D
高-z
temporary sector
组 unprotec-
tion *
4
X X X XXXXX X X V
ID
X
flash 硬件
重置
X
HX
X X X X X 高-z 高-z L X
XL
激励 块 sector
写 保护
X X X XXXXX X X X L
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