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手机版
资料编号:118
资料名称:
2SC5004-T1
文件大小: 54.38K
说明
:
介绍
:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5004
3
典型 特性 (t
一个
= 25
°
c)
100
0
50
100
150
150
P
T
– 总的 电源 消耗 – mw
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
50
自由 空气
0
0.2
1.0
8
24
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
16
0.4
0.6
0.8
02
10
10
20
80 一个
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
60 一个
40 一个
30
46
8
10
0.5 1
5
10
50
20
50
100
200
h
FE
– 直流 电流 增益
220
0
0.5
1
5
10
50
2
4
6
8
10
V
CE
= 5 v
f = 1 ghz
f
T
– 增益 带宽 生产 – ghz
220
0
0.5
1
10
20
50
2
4
10
12
14
|S
21
e|
2
– 嵌入 电源 增益 – db
V
CE
= 5 v
8
6
25
V
CE
= 5 v
V
CE
= 5 v
f = 1 ghz
I
B
= 120 一个
m
20 一个
100 一个
m
m
m
m
m
T
一个
– 包围的 温度 – °c
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级
V
是
– 根基 至 发射级 电压 – v
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
V
CE
– 集电级 至 发射级 电压 – v
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
嵌入 电源 增益 vs.
集电级 电流
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
增益 带宽 产品 vs.
集电级 电流
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
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