首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:119351
 
资料名称:AAT3190ITP-T1
 
文件大小: 411.13K
   
说明
 
介绍:
Positive/Negative Charge Pump for Voltage Bias
 
 


: 点此下载
  浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第8页
8

9
浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号AAT3190ITP-T1的Datasheet PDF文件第13页
13
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AAT3190
积极的/负的 承担 打气 为 电压 偏差
3190.2005.03.1.0
9
积极的 承担 打气
在 这 第一 half-循环, 这 n-频道 场效应晶体管
转变 在 和 charges 这 flying 电容 c4
(图示 2). 在 这 第二 half-循环, 这 n-
频道 场效应晶体管 转变 止 和 这 p-频道
场效应晶体管 转变 在, 水平的 shifting c4 用 这 输入
电压. 这个 connects c4 在 并行的 和 这 reser-
voir 电容 c5. 如果 这 电压 横过 c5 加 一个
二极管 漏出 是 较少 比 这 水平的 shifted flying
电容 (c4 + v
), 承担 是 transferred 从 c4
至 c5 直到 这 二极管 转变 止.
图示 1: 负的 承担 打气 块 图解.
R1
R2
V
REF
FBN
DRVN
1/2 a4
BAT54SDW
C7
C10
OSC
CTL
AAT3190
V
V
= -(r1/r2) x v
REF
C2
1.2v
图示 2: 积极的 承担 打气 块 图解.
R3
R4
V
REF
1.2v
FBP
DRVP
V
1/2 a3
BAT54SDW
C4
C5
OSC
CTL
AAT3190
V
运算
V
运算
= (1+r3/r4) x v
REF
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com