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资料编号:119444
 
资料名称:AB1L3N
 
文件大小: 85.06K
   
说明
 
介绍:
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor
 
 


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数据 薄板 d10836ej2v0ds
4
ab1 序列
AB1A4M
电的 特性 (ta = 25
°
°°
°
c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
= 30 v, i
E
= 0 100 nA
直流 电流 增益 h
FE1
** V
CE
= 2.0 v, i
C
= 0.1 一个 300
直流 电流 增益 h
FE2
** V
CE
= 2.0 v, i
C
= 0.5 一个 300
直流 电流 增益 h
FE3
** V
CE
= 2.0 v, i
C
= 0.7 一个 135
低 水平的 输出 电压 V
OL
** V
= 5.0 v, i
C
= 0.2 一个 0.3 V
低 水平的 输入 电压 V
IL
**
V
CE
= 5.0 v, i
C
= 100
µ
一个
0.3 V
输入 阻抗 R
1
71013
k
e-至-b 阻抗 R
2
71013
k
** PW
350
µ
s, 职责 循环
2 %
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