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资料编号:119444
资料名称:
AB1L3N
文件大小: 85.06K
说明
:
介绍
:
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d10836ej2v0ds
4
ab1 序列
AB1A4M
电的 特性 (ta = 25
°
°°
°
c)
参数
标识
情况
最小值
典型值
最大值
单位
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
= 30 v, i
E
= 0
100
nA
直流 电流 增益
h
FE1
**
V
CE
= 2.0 v, i
C
= 0.1 一个
300
−
直流 电流 增益
h
FE2
**
V
CE
= 2.0 v, i
C
= 0.5 一个
300
−
直流 电流 增益
h
FE3
**
V
CE
= 2.0 v, i
C
= 0.7 一个
135
−
低 水平的 输出 电压
V
OL
**
V
在
= 5.0 v, i
C
= 0.2 一个
0.3
V
低 水平的 输入 电压
V
IL
**
V
CE
= 5.0 v, i
C
= 100
µ
一个
0.3
V
输入 阻抗
R
1
71013
k
Ω
e-至-b 阻抗
R
2
71013
k
Ω
**
PW
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
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