2
aba-31563 绝对 最大 比率
[1]
标识 参数 单位 绝对 最大值
V
cc
设备 电压, rf 输出 至 地面 (t = 25
°
c) V 6
P
在
cw rf 输入 电源 (vcc = 3v) dBm 15
P
diss
总的 电源 消耗
[3]
W 0.3
T
j
接合面 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在 excess 的 任何 的
这些 限制 将 导致 永久的 损坏.
2. 热的 阻抗 量过的 使用 150
°
C
liquid 结晶 度量 技巧.
3. 板 (包装 belly) 温度, tc, 是
25
°
c. 减额 2.3 mw/
°
c 为 tc
> 120.8
°
c.
电的 规格
T
c
= +25
°
c, z
o
= 50
Ω
, p
在
= -30 dbm, v
cc
= 3v, freq = 2 ghz, 除非 陈述 否则.
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值 标准 dev.
Gp
[1]
电源 增益 (|s
21
|
2
) dB 20.0 21.5
∆
Gp 电源 增益 flatness, f = 0.1 ~ 2.5 ghz dB 0.2
f = 0.1 ~ 3.5 ghz 1.3
NF
[1]
噪音 图示 dB 3.8 4.8
P1dB
[1]
输出 电源 在 1db 增益 压缩 dBm 2.2
OIP3
[1]
输出 第三 顺序 intercept 要点 dBm 13.1
VSWR
在
[1]
输入 vswr <1.5
VSWR
输出
[1]
输出 vswr <1.5
Icc
[1]
设备 电流 毫安 14 16
Td
[1]
组 延迟 ps 140
注释:
1. 度量 带去 在 50
Ω
测试 板 显示 在 图示 1. excess 电路 losses had 被 de-embedded 从 真实的 度量. 标准
背离 和 典型 数据 为基础 在 在 least 500 部分 样本 大小 从 2 薄脆饼 lots. future wafers allocated 至 这个 产品 将 有 名义上的 值
anywhere 在里面 这 upper 和 更小的 规格 限制.
图示 1. aba-31563 生产 测试 电路.
热的 阻抗
[2]
(vcc = 3v)
θ
j-c
= 125
°
c/w
rf 输出
rf 输入
Vcc
RFC
33 nh
C
块
1 nf
C
块
1 nf
1Kx
C
绕过
100 pf
C
绕过
1000 pf
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