数据 薄板 d13536ej3v0ds
2
ac03dgm, ac03fgm
电的 特性 (tj = 25
°
°°
°
c, rgk = 1 k
Ω
ΩΩ
Ω
)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位 Remarks
T
j
= 25
°
C
−−
100
µ
一个
repeat 顶峰 止-电流 I
DRM
V
DM
= v
DRM
T
j
= 125
°
C
−−
1mA
−
在-状态 电压 V
TM
I
TM
= 5 一个
−−
1.8 V
谈及 至
图示 1.
模式 i T
2
+, g+
−−
12
II
T
2
−
, g+
−−−
III
T
2
−
, g
−−−
12
门 触发
电流
IV
I
GT
V
DM
= 12 v
R
L
= 30
Ω
T
2
+, g
−−−
12
毫安
谈及 至
图示 4.
模式 i T
2
+, g+
−−
1.5
II
T
2
−
, g+
−−−
III
T
2
−
, g
−−−
1.5
门 触发
电压
IV
V
GT
V
DM
= 12 v
R
L
= 30
Ω
T
2
+, g
−−−
1.5
V
谈及 至
图示 4.
门 非-触发 电压 V
GD
T
j
= 125
°
c, v
DM
=
1
2
V
DRM
0.2
−−
V
−
支撑 电流 I
H
V
DM
= 24 v, i
TM
= 5 一个
−
10
−
毫安
−
核心的 比率 的 上升 的 止-
状态 电压
dv/dt
T
j
= 125
°
c, v
DM
=
2
3
V
DRM
−
100
−
v/
µ
s
−
commutating 核心的 比率 的
上升 的 止-状态 电压
(dv/dt)c
T
j
= 125
°
C
(di
T
/dt)c =
−
1.6 一个/ms
V
D
= 400 v
5
−−
v/
µ
s
−
R
th(j
−
c)
接合面-至-情况 交流
−−
10
°
c/w
热的 resistance*
R
th(j
−
一个)
接合面-至-包围的 交流
−−
75
°
c/w
谈及 至
图示 13.
* 这 热的 阻抗 在 50 hz 和 60 hz sine 波 电流, 这个 是 显示 在 这 下列的 expression:
R
th(j
−
c)
=
T
j(最大值)
–T
C
P
t(av)
T
j(最大值)
:最大 接合面 温度
T
C
:情况 温度
P
t(av)
:平均 在-消耗
: 点此下载
