AD22151
–3–rev. 0
管脚 配置
顶 视图
(不 至 规模)
8
7
6
5
1
2
3
4
范围 的 sensitivity*
TC1
TC2
TC3
地
V
CC
REF
增益
输出
AD22151
(不 至 规模)
8
7
6
5
1
2
3
4
* shaded 范围 代表
有磁性的 地方 范围 的
敏锐的 (20mils
20mils)
•
积极的 b 地方 在 顶 的
包装 结果 在 一个 积极的
电压 回馈
管脚 函数 描述
管脚 非. 描述 连接
1 温度 补偿 1 输出
2 温度 补偿 2 输出
3 温度 补偿 3 输入/输出
4 地面
5 输出 输出
6 增益 输入
7 涉及 输出
8 积极的 电源 供应
电路 运作
这 ad22151 组成 的 epi 通道 加设护板 结构 located 在
这 中心 的 这 消逝. 这 通道 plates 是 orthogonally 抽样
用 commutation switches 通过 一个 差别的 放大器. 这 二
amplified 通道 信号 是 synchronously demodulated 至 pro-
vide 一个 resultant 补偿 cancellation (看 图示 3). 这 demodu-
lated 信号 passes 通过 一个 同相 放大器 至 提供
最终 增益 和 驱动 能力. 这 频率 在 这个 这
输出 信号 是 refreshed 是 50 khz.
温度 –
C
0.005
–0.004
140 –40120
补偿 – 伏特
100 80 60 40 20 0 –20
0.004
0
–0.001
–0.002
–0.003
0.003
0.001
0.002
图示 3. 相关的 安静的 补偿 vs. 温度
温度 dependencies
这 uncompensated 增益 温度 系数 (g
TCU
) 的 这
ad22151 是 这 结果 的 基本的 物理的 properties asso-
ciated 和 硅 大(量) 通道 加设护板 结构. 低 掺麻醉剂 通道
plates 运作 在 电流 偏差 模式 展览 一个 温度
relationship 决定 用 这 action 的 scattering mechanisms
和 doping concentration.
这 相关的 值 的 敏锐的 至 有磁性的 地方 能 是 改变
用 这 应用 的 机械的 强迫 在之上 硅. 这 mecha-
nism 是 principally 这 redistribution 的 electrons全部地 这
“valleys” 的 这 硅 结晶. 机械的 强迫 在 这 传感器
是 attributable 至 包装-induced 压力. 这 包装 材料
acts 至 distort 这 encapsulated 硅 altering 这 通道 cell 增益
用
±
2% 和 g
TCU
用
±
200 ppm.
图示 4 显示 这 典型 g
TCU
典型的 的 这 ad22151.
这个 是 这 observable 改变 的 增益 和 遵守 至 tempera-
ture 和 管脚 3 (tc3) 使保持 在 一个 常量 2.5 v (uncompensated).
如果 一个 永久的 磁铁 源 使用 在 conjunction 和 这
传感器 也 显示 一个 intrinsic tc (b
TC
), 它 将 需要 因素-
ing 在 这 总的 温度 补偿 的 这 传感器
组装.
计算数量 5 和 6 代表 典型 整体的 温度/增益 每-
formance 为 一个 传感器 和 地方 结合体 (b
TC
= –200 ppm).
图示 5 是 这 总的 逐渐变化 在 伏特 在 一个 –40
°
c 至 +150
°
c tem-
perature 范围 和 遵守 至 应用 地方. 图示 6 代表
典型 percentage 增益 变化 从 +25
°
c. 计算数量 7 和 8
显示 类似的 数据 为 一个 b
TC
= –2000 ppm.
温度 –
C
14
–4
–40
% 增益
10 60 110 160
12
4
2
0
–2
10
6
8
–6
图示 4. uncompensated 增益 变化 (从 +25
°
c) vs.
温度
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