rev. 0
ADF4001
–3–
(av
DD
= dv
DD
= 3 v
10%, 5 v
10%; av
DD
≤
V
P
≤
6.0 v
; agnd = dgnd = cpgnd= 0 v; r
设置
=
4.7 k
; t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出; dbm 涉及 至 50
.)
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然
这 adf4001 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在
设备 subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是
推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
t
1
t
2
t
3
t
4
t
6
t
5
DB20
(msb)
DB19
DB2
DB1
(控制 位 c2)
时钟
数据
LE
LE
db0 (lsb)
(控制 位 c1)
图示 1. 定时 图解
定时 特性
限制 在
T
最小值
至 t
最大值
参数 (b 版本) 单位 测试 情况/comments
t
1
10 ns 最小值 数据 至 时钟 设置 向上 时间
t
2
10 ns 最小值 数据 至 时钟 支撑 时间
t
3
25 ns 最小值 时钟 高 持续时间
t
4
25 ns 最小值 时钟 低 持续时间
t
5
10 ns 最小值 时钟 至 le 设置 向上 时间
t
6
20 ns 最小值 le pulsewidth
注释
有保证的 用 设计 但是 不 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
绝对 最大 比率
1, 2
(
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
AV
DD
至 地
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7 v
AV
DD
至 dv
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 v 至 + 0.3 v
V
P
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7 v
V
P
至 av
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +5.5 v
数字的 i/o 电压 至 地 . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
相似物 i/o 电压 至 地 . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
P
+ 0.3 v
REF
在
, rf
在
一个, rf
在
b 至 地 . . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
RF
INA
至 rf
INB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
320 mv
运行 温度 范围
工业的 (b 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
最大 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . .150
°
C
TSSOP
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . 150.4
°
c/w
CSP
θ
JA
热的 阻抗 (paddle 焊接) . . . . 122
°
c/w
CSP
θ
JA
热的 阻抗 (paddle 不 焊接) . . 216
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
°
C
infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
°
C
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
2
这个 设备 是 一个 高-效能 rf 整体的 电路 和 一个 静电释放 比率 的
< 2 k
Ω
和 它 是 静电释放 敏感的. 恰当的 预防措施 应当 是 带去 为 处理
和 组装.
3
地 = agnd = dgnd = 0 v.
订货 手册
模型 温度 范围 包装 描述 包装 选项
ADF4001BRU –40
°
c 至 +85
°
C 薄的 shrink 小 外形 包装 (tssop) ru-16
ADF4001BCP –40
°
c 至 +85
°
C 碎片 规模 包装
*
cp-20
*
联系 工厂 为 碎片 有效性.
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