ADP3152
–9–rev. 0
这 最小 输入 电压 dictates whether 标准 门槛
或者 逻辑-水平的 门槛 mosfets 必须 是 使用. 为 v
在
> 8 v,
标准 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 4 v) 将 是 使用. 如果
V
在
是 预期的 至 漏出 在下 8 v, 逻辑-水平的 门槛 mosfets
(v
gs(th)
< 2.5 v) 是 strongly 推荐. 仅有的 logic-level
mosfets 和 v
GS
比率 高等级的 比 这 绝对 最大
的 v
CC
应当 是 使用.
这 最大 输出 电流 i
OMAX
确定 这 r
ds(在)
必要条件 为 这 二 电源 mosfets. 当 这 adp3152
是 运行 在 持续的 模式, 这 simplifying assumption 能
是 制造 那 一个 的 这 二 mosfets 是 总是 组织
这 平均 加载 电流.
为 v
在
= 5 v 和 v
O
= 2.8 v, 这 最大 职责 比率 的 这
高 一侧 场效应晶体管 是:
D
MAXHF
= (1–
f
最小值
×
t
止
) =(1–160
kHz
×
2.2
µ
s
) = 65%
这 最大 职责 比率 的 这 低 一侧 (同步的 整流器)
场效应晶体管 是:
D
MAXLF
= 1 –
D
MAXHF
= 35
%
这 最大 rms 电流 的 这 高 一侧 场效应晶体管 是:
I
RMSLS
= [
D
MAXHF
(
I
LVALLEY
2
+
I
LPEAK
2
+
I
LVALLEY
I
LPEAK
)/3]
0.5
= 11.5
Arms
这 最大 rms 电流 的 这 低 一侧 场效应晶体管 是:
I
RMSLS
= [
D
MAXLF
(
I
LVALLEY
2
+
I
LPEAK
2
+
I
LVALLEY
I
LPEAK
)/3]
0.5
= 8.41
Arms
这 r
ds(在)
为 各自 场效应晶体管 能 是 获得 从 这 容许的
消耗. 如果 我们 准许 5% 的 这 最大 输出 电源 为
场效应晶体管 消耗, 这 总的 消耗 将 是:
P
FETALL
= 0.05
V
O
I
OMAX
= 2
W
allocating 二-thirds 的 这 总的 消耗 为 这 高 一侧
场效应晶体管 和 一个-第三 为 这 低 一侧 场效应晶体管, 这 必需的 最小
场效应晶体管 抵制 将 是:
R
DS
(
在
)
HSF
(
最小值
)
= 1.33/11.5
2
= 10
m
Ω
R
DS
(
在
)
LSF
(
最小值
)
= 0.67/8.41
2
= 9.5
m
Ω
便条 那 那里 是 一个 tradeoff 在 转换器 效率 和
费用. 大 fets 减少 这 传导 losses 和 准许 高等级的
效率 但是 含铅的 至 增加 费用. 如果 效率 是 不 一个 主要的
concern 这 仙童 场效应晶体管 ndp6030l 或者 国际的
整流器 irl3103 是 一个 economical 选择 为 两个都 这 高 一侧
和 低 一侧 positions. 那些 设备 有 一个 r
ds(在)
的 14 m
Ω
在 v
GS
= 10 v 和 在 25
°
c. 这 低 一侧 场效应晶体管 是 转变 在 和
在 least 10 v. 这 高 一侧 场效应晶体管, 不管怎样, 是 转变 在 和
仅有的 12 v – 5 v = 7 v. 如果 我们 审查 这 典型 输出 character-
istics 的 这 设备 在 这 数据 薄板, 我们 find 那 为 一个 输出
电流 的 10 一个, 和 在 一个 v
GS
的 7 v, 这 v
DS
是 0.15 v, 这个
给 一个 r
ds(在)
= v
DS
/i
D
= 15 m
Ω
. 这个 值 是 仅有的 slightly
在之上 这 一个 指定 在 一个 v
GS
的 10 v, 所以 这 阻抗 在-
crease 预定的 至 这 减少 门 驱动 能 是 neglected. 我们 有
至 modify, 不管怎样, 这 指定 r
ds(在)
在 这 预期的 高-
est 场效应晶体管 接合面 温度 的 140
°
c 用 一个 r
ds(在)
乘法器,
使用 这 graph 在 这 数据 薄板. 在 我们的 情况:
R
DS
(
在
)
MULT
= 1.7
使用 这个 乘法器, 这 预期的
R
DS
(
在
)
在 140
°
c 是 1.7
×
14
= 24 m
Ω
.
这 高 一侧 场效应晶体管 消耗 是:
P
DFETHS
=
I
RMSHS
2
R
DS
(
在
)
+ 0.5
V
在
I
LPEAK
Q
G
f
最大值
/
I
G
= 3.72
W
在哪里 这 第二 期 代表 这 转变-止 丧失 的 这 场效应晶体管.
(在 这 第二 期, q
G
是 这 门 承担 至 是 移除 从
这 门 为 转变-止 和 i
G
是 这 门 电流. 从 这 数据
薄板, q
G
是 关于 50 nc –70 nc 和 这 门 驱动 电流
提供 用 这 adp3152 是 关于 1 一个.)
这 低 一侧 场效应晶体管 消耗 是:
P
DFETLS
=
I
RMSLS
2
R
DS
(
在
)
= 1.7
W
(便条 那 那里 是 非 切换 losses 在 这 低 一侧 场效应晶体管.)
至 除去 这 消耗 的 这 选择 fets, 恰当的 heatsinks
应当 是 使用. 这 thermalloy 6030 散热器 有 一个 热的
阻抗 的 13
°
c/w 和 convection 冷却. 和 这个 热温-
下沉, 这 接合面-至-包围的 热的 阻抗 的 这 选择
高 一侧 场效应晶体管
θ
JAHS
将 是 13 (散热器-至-包围的) + 2 (junc-
tion-至-情况) + 0.5 (情况-至-散热器) = 15.5
°
c/w.
在 全部 加载 和 在 50
°
c 包围的 温度, 这 接合面
温度 的 这 高 一侧 场效应晶体管 是:
T
J
HSMAX
=
T
一个
+
θ
J
AHS
P
DFETHS
= 105
°
C
一个 小 散热器 将 是 使用 为 这 低 一侧 场效应晶体管, e.g., 这
thermalloy 类型 7141 (
θ
= 20.3
°
c/w). 和 这个 散热器, 这
热的 阻抗
θ
JALS
为 这 低 一侧 场效应晶体管 = 33.8
°
c/w.
这 低 一侧 场效应晶体管 接合面 温度 是:
T
J
LSMAX
=
T
一个
+
θ
J
ALS
P
DFETL
S
= 106
°
C
所有 的 这 在之上 计算 接合面 温度 是 safely
在下 这 175
°
c 最大 指定 接合面 温度 的
这 选择 场效应晶体管.
这 最大 运行 接合面 温度 的 这 adp3152
是 计算 作 跟随:
T
J
ICMAX
=
T
一个
+
θ
J
一个
(
I
IC
V
CC
+
P
DR
)
在哪里
θ
J
一个
是 这 接合面 至 包围的 热的 阻抗 的 这
adp3152 和
P
DR
是 这 驱动 电源. 从 这 数据 薄板,
θ
J
一个
是 equal 至 110
°
c/w 和 i
IC
= 2.7 毫安. p
DR
能 是 计算 作
跟随:
P
DR
= (
C
RSS
+
C
ISS
)
V
CC
2
f
最大值
= 307
mW
这 结果 是:
T
J
ICMAX
= 86
°
C
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