ADP3020
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15
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rev. 0
这 设计
这 详细信息 的 designing 这 电源 inductor 是 covered 在 许多
涉及 texts, 和 将 不 是 covered here. examples 的 软-
ware 和 涉及 书 那 能 是 使用 为 快 设计 的
这 电源 inductor 是 给 在下:
software—magnetic 设计者 从 intusoft, www.intusoft.com
“designing 有磁性的 组件 为 高 频率
直流-直流 转换器,” mclyman, kg 磁性材料 inc.,
isbn 1-883107-00-08 (为 先进的 用户)
“power 供应 cookbook,” marty 褐色, edn 序列 为
设计 engineers, isbn 0-7506-9442-4 (为 beginners 和
intermediate 用户)
C
在
和 c
输出
选择
在 持续的 传导 模式, 这 源 电流 的 这 upper
场效应晶体管 是 大概 一个 正方形的 波 的 职责 循环 v
输出
/v
在
.
至 阻止 大 电压 过往旅客, 一个 低 等效串联电阻 输入 电容
sized 为 这 最大 rms 电流 必须 是 使用. 这 最大
rms 电容 电流 是 给 用:
IVVV
I
V
RMS 输出 在 输出
最大值
在
≈×
()
×
–
(6)
这个 formula 有 一个 最大 在
V
在
= 2
×
V
输出
, 在哪里
I
RMS
=
I
输出
/2.便条 那 这 电容 生产者’s 波纹 电流
比率 是 常常 为基础 在 仅有的 2000 小时 的 生命. 这个 制造 它
明智 至 更远 减额 这 电容, 或者 至 choose 一个 电容
评估 在 一个 高等级的 温度 比 必需的. 一些 电容
将 也 是 paralleled 至 满足 大小 或者 height (所需的)东西 在 这
设计. 如果 electrolytic 或者 tantalum 电容 是 使用, 一个 addi-
tional 0.1
µ
F–1
µ
f 陶瓷的 绕过 电容 应当 是 放置 在
并行的 和 c
在
.
这 选择 的 c
输出
是 驱动 用 这 必需的 有效的 序列
阻抗 (等效串联电阻) 和 这 desired 输出 波纹. 一个 好的 rule 的
thumb 是 至限制 这 波纹 电压 至 1% 的 这 名义上的 输出
电压. 它 是 assumed 那 这 总的 波纹 是 造成 用 二factors:
25% comes 从 这 c
输出
大(量) 电容 值, 和 75%
comes 从 这 电容 等效串联电阻. 这 值 的 c
输出
能 是 deter-
mined 用:
C
I
fV
输出
波纹
波纹
=
××
2
(7)
在哪里
I
波纹
= 0.3
×
I
输出
和
V
波纹
= 0.01
×
V
输出
. 这
最大 可接受的 等效串联电阻 的 c
输出
能 然后 是 建立 使用:
等效串联电阻
V
I
波纹
波纹
≤×
075.
(8)
manufacturers 此类 作 vishay, avx, elna, wima 和 sanyo
提供 好的 高-效能 电容. sanyo’s oscon
半导体 dielectric 电容 有 更小的 等效串联电阻 为 一个 给
大小, 在 一个 somewhat 高等级的 价格. choosing sufficient 电容
至 满足 这 等效串联电阻 必要条件 为 c
输出
将 正常情况下 超过
这 数量 的 电容 需要 至 满足 这 波纹 电流
必要条件.
在 表面-挂载 产品, 多样的 电容 将 有 至
是 paralleled 至 满足 这 电容, 等效串联电阻, 或者 rms 电流
处理 (所需的)东西. 铝 electrolytic 和 dry tantalum
电容 是 有 在 表面-挂载 configurations. 在 这
情况 的 tantalum, 它 是 核心的 那 电容 是 surge 测试 为
使用 在 切换 电源 供应. recommendations 为 输出
电容 是 显示 在 表格 vi.
电源 场效应晶体管 选择
n-频道 电源 mosfets 必须 是 选择 为 使用 和 这
adp3020 为 两个都 这 主要的 和 同步的 转变. 这 主要的
选择 参数 为 这 电源 mosfets 是 这 门槛
电压 (v
gs(th)
) 和 在-阻抗 (r
ds(在)
). 一个 内部的 ldo
发生 一个 5 v 供应 那 是 boosted 在之上 这 输入 电压
使用 一个 自举 电路. 这个 floating 5 v 供应 是 使用 为 这
upper 场效应晶体管 门 驱动. 逻辑-水平的 门槛 mosfets
必须 是 使用 为 两个都 这 主要的 和 同步的 switches.
最大 输出 电流 (i
最大值
) 确定 这 r
ds(在)
需要-
ment 为 这 二 电源 mosfets. 当 这 adp3020 是
运行 在 持续的 模式, 这 simplifying assumption 能
是 制造 那 一个 的 这 二 mosfets 是 总是 组织 这
加载 电流. 这 职责 循环 为 这 mosfets 是 给 用:
Upper 场效应晶体管 职责 循环
V
V
输出
在
=
(9)
更小的 场效应晶体管 职责 循环
VV
V
在 输出
在
=
–
(10)
表格 vi. 推荐 电容 manufacturers
最大 输出
电流 2 一个 4 一个 10 一个
输入 电容 tokin multilayer tokin multilayer tokin multilayer
陶瓷的 caps, 22
µ
f/25 v 陶瓷的 caps, 2
×
22
µ
f/25 v 陶瓷的 caps, 2
×
22
µ
f/25 v
p/n: c55y5u1e226z p/n: c55y5u1e226z p/n: c55y5u1e226z
taiyo yuden 公司 taiyo yuden 公司 vishey 陶瓷的 caps,
陶瓷的 caps, y5v 序列 陶瓷的 caps, y5v 序列 z5u 序列, 2
×
15
µ
f/25 v
10
µ
f/25 v 2
×
10
µ
f/25 v
p/n: tmk432bj106km p/n: tmk432bj106km
输出 电容 sanyo poscap tpc sanyo poscap tpc sanyo poscap tpb
+3.3 v 输出 序列, 68
µ
f/10 v 序列, 2
×
68
µ
f/10 v 序列, 2
×
220
µ
f/4.0 v
输出 电容 sanyo poscap tpc sanyo poscap tpc sanyo poscap tpb
+5 v 输出 序列, 68
µ
f/10 v 序列, 2
×
68
µ
f/10 v 序列, 2
×
330
µ
f/6.3 v
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