ultralow 噪音 xfet
®
电压 references
和 电流 下沉 和 源 能力
adr430/adr431/adr433/adr434/adr435/adr439
rev. b
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特性
低 噪音 (0.1 hz 至 10 hz): 3.5 µv p-p @ 2.5 v 输出
非 外部 电容 必需的
低 温度 系数
一个 等级: 10 ppm/°c 最大值
b 等级: 3 ppm/°c 最大值
加载 规章制度: 15 ppm/毫安
线条 规章制度: 20 ppm/v
宽 运行 范围
adr430: 4.1 v 至 18 v
adr431: 4.5 v 至 18 v
adr433: 5.0 v 至 18 v
adr434: 6.1 v 至 18 v
adr435: 7.0 v 至 18 v
adr439: 6.5 v 至 18 v
高 输出 电流: +30 毫安/
−
20 毫安
宽 温度 范围:
−
40°c 至 +125°c
产品
精确 数据 acquisition 系统
高 决议 数据 转换器
medical 器械
工业的 处理 控制 系统
视力的 控制 电路
精确 器械
管脚 配置
nc = 非 连接
ADR43x
顶 视图
(不 至 规模)
TP
1
V
在
2
NC
3
地
4
TP
NC
V
输出
修整
8
7
6
5
04500-0-001
图示 1. 8-含铅的 msop
(rm 后缀)
nc = 非 连接
ADR43x
顶 视图
(不 至 规模)
TP
1
V
在
2
NC
3
地
4
TP
NC
V
输出
修整
8
7
6
5
04500-0-041
图示 2. 8-含铅的 soic
(r 后缀)
一般 描述
这 adr43x 序列 是 一个 家族 的 xfet 电压 references
featuring 低 噪音, 高 精度, 和 低 温度 逐渐变化
效能. 使用 adi’s 专利的 温度 逐渐变化 curvature
纠正 和 xfet (extra implanted 接合面 场效应晶体管) 技术,
这 adr43x’s 电压 改变 相比 温度 非线性 是
使减少到最低限度.
这 xfet references 运作 在 更小的 电流 (800 µa) 和
供应 头上空间 (2 v) 比 buried-齐纳 references. buried-
齐纳 references 需要 更多 比 5 v 头上空间 为 行动.
这 adr43x xfet references 是 这 仅有的 低 噪音 解决方案
为 5 v 系统.
这 adr43x 序列 有 这 能力 至 源 向上 至 30 毫安
和 下沉 向上 至 20 毫安 的 输出 电流. 它 也 comes 和 一个
修整 终端 至 调整 这 输出 电压 在 一个 0.5% 范围
没有 compromising 效能. 这 adr43x 是 有
在 这 8-含铅的 迷你 soic 和 8-含铅的 soic 包装.
所有 版本 是 指定 在 这 扩展 工业的 tempera-
ture 范围 (−40°c 至 +125°c).
表格 1. 选择 手册
模型 V
输出
(v)
精度
(mv)
温度 系数
(ppm/°c)
ADR430B 2.048 ±1 3
ADR430A 2.048 ±3 10
ADR431B 2.500 ±1 3
ADR431A 2.500 ±3 10
ADR433B 3.000 ±1.4 3
ADR433A 3.000 ±4 10
ADR434B 4.096 ±1.5 3
ADR434A 4.096 ±5 10
ADR435B 5.000 ±2 3
ADR435A 5.000 ±6 10
ADR439B 4.500 ±2 3
ADR439A 4.500 ±5.4 10
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