首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:125404
 
资料名称:PS7341L-1A-E3
 
文件大小: 349.83K
   
说明
 
介绍:
6-PIN DIP, HIGH ISOLATION VOLTAGE 1-ch Optical Coupled MOS FET
 
 


: 点此下载
  浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第5页
5

6
浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号PS7341L-1A-E3的Datasheet PDF文件第10页
10
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ps7341-1a,ps7341l-1a
典型 特性 (t
一个
= 25 °c, 除非 否则 指定)
f = 1 mhz
20 40 60 80 100 120
200
0
150
100
50
输出 电容 vs.
输出 电容 c
输出
(pf)
应用 电压 v
D
(v)
加载 电流 vs. 加载 电压
加载 电流 i
L
(毫安)
加载 电压 v
L
(v)
I
F
= 10 毫安
–4.0 –2.0 0 4.02.0
–100
–200
100
200
止-状态 泄漏 电流 i
Loff
(一个)
应用 电压 v
D
(v)
止-状态 泄漏 电流 vs.
应用 电压
应用 电压
I
F
= 50 毫安
30 毫安
20 毫安
10 毫安
5 毫安
1 毫安
100
0–25 25 50 75
1.0
1.4
1.6
1.8
1.2
0.8
向前 电压 v
F
(v)
包围的 温度 t
一个
(˚c)
包围的 温度
向前 电压 vs.
100
85
7550250–25
20
60
80
100
40
0
最大 向前 电流 i
F
(毫安)
包围的 温度 t
一个
(˚c)
最大 向前 电流 vs.
包围的 温度
100
85
750–25 5025
200
300
100
0
最大 加载 电流 i
L
(毫安)
包围的 温度 t
一个
(˚c)
最大 加载 电流 vs.
包围的 温度
500
1000 200 300 400
10
–7
10
–6
10
–5
10
–8
10
–9
25 ˚c
T
一个
= 85 ˚c
数据 薄板 pn10306ej01v1ds
6
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com